TR4501NT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:269
产品型号:tr4501nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23/-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a功率mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23/-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a功率mosfet
价格/1片(套):暂无
产品型号:tr4501nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23/-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a功率mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80
最大漏极电流id(on)(a):3.200
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-23/-55 ~150
描述:20 v, 3.2 a功率mosfet
价格/1片(套):暂无
上一篇：VN2410LG的技术参数
相关技术资料- 7-10神经运算处理芯片(Neural Processing Unit, NPU)
- 7-10GB10 Grace Blackwell超级芯片应用分析
- 7-10飞行时间传感器X-NUCLEO-53L4A2
- 7-1012GB LPDDR5芯片及6GB LPDDR5芯片应用探究
- 7-10PowerEdge XE9712 服务器技术参数设计
- 7-10动态随机存取存储芯片(DRAM)发展趋势
- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 相关IC型号
热门点击
- 1N4001的技术参数
- MUR3060PTG的技术参数
- MUR550APFRLG的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- J112G的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
- MPF4393G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
