NSDEMN11XV6T1的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:276
产品型号:nsdemn11xv6t1
最小反向电压vr(v):80
最大反向漏电流ir(?a):0.100
正向恢复电压vf最小值(v):－
正向恢复电压vf最大值(v):100ma
最大二极管电容ct(pf ):3.500
反向恢复时间trr(ns):4
类型:共阴极,四阵列开关二极管
封装/温度(℃):sot-563/ -55~125
价格/1片(套):￥.80
最小反向电压vr(v):80
最大反向漏电流ir(?a):0.100
正向恢复电压vf最小值(v):－
正向恢复电压vf最大值(v):100ma
最大二极管电容ct(pf ):3.500
反向恢复时间trr(ns):4
类型:共阴极,四阵列开关二极管
封装/温度(℃):sot-563/ -55~125
价格/1片(套):￥.80
产品型号:nsdemn11xv6t1
最小反向电压vr(v):80
最大反向漏电流ir(?a):0.100
正向恢复电压vf最小值(v):－
正向恢复电压vf最大值(v):100ma
最大二极管电容ct(pf ):3.500
反向恢复时间trr(ns):4
类型:共阴极,四阵列开关二极管
封装/温度(℃):sot-563/ -55~125
价格/1片(套):￥.80
最小反向电压vr(v):80
最大反向漏电流ir(?a):0.100
正向恢复电压vf最小值(v):－
正向恢复电压vf最大值(v):100ma
最大二极管电容ct(pf ):3.500
反向恢复时间trr(ns):4
类型:共阴极,四阵列开关二极管
封装/温度(℃):sot-563/ -55~125
价格/1片(套):￥.80
相关技术资料- 7-14NeuPro NPUs+ SensPro DSP技术参数设计
- 7-14双通道ATA-2022H高压放大器
- 7-14旗舰大模型Grok 4、Grok 4 API发展趋势
- 7-14耦合仿真技术及高保真模型试验技术应用探究
- 7-14GPU、FPGA、ASIC。GPU、FPGA技术解释
- 7-14ASIC/FPGA/GPU芯片及边缘-云端
- 7-12PWM输入功率驱动器工作原理
- 7-12隔离式 DC/DC 变换器和模块优势特征
- 7-12解读集成4 个高效降压 DC/DC 变换器
- 7-12数字隔离功能全集成 DC/DC 电源变换器简述
- 7-12集成低噪声电流输入模数转换器 (ADC)应用详解
- 7-12128 通道20 位电流数字转换器应用探究
- 相关IC型号
热门点击
- 1N4001的技术参数
- 2N4401的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- MMSZ18T1G的技术参数
- BCP56-16T1G的技术参数
- 1N5349B的技术参数
- SM05T1的技术参数
- MMSZ16T1G的技术参数
- MMSZ5257BT1G的技术参数
- MMBZ5242BLT1G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
