MMSZ5257BT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:471
产品型号:mmsz5257bt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):31.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):34.650
@izt(ma):3.800
齐纳阻抗zzt(ω):58
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:m2
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):￥.40
齐纳击穿电压vz最小值(v):31.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):34.650
@izt(ma):3.800
齐纳阻抗zzt(ω):58
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:m2
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):￥.40
产品型号:mmsz5257bt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):31.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):34.650
@izt(ma):3.800
齐纳阻抗zzt(ω):58
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:m2
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):￥.40
齐纳击穿电压vz最小值(v):31.350
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):34.650
@izt(ma):3.800
齐纳阻抗zzt(ω):58
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:m2
封装/温度(℃):sod123/-55~150
价格/1片(套):￥.40
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