MMSZ18T1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:542
产品型号:mmsz18t1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):45
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:x2
封装/温度(℃):sod123/-65~150
价格/1片(套):￥.38
齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):45
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:x2
封装/温度(℃):sod123/-65~150
价格/1片(套):￥.38
产品型号:mmsz18t1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):45
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:x2
封装/温度(℃):sod123/-65~150
价格/1片(套):￥.38
齐纳击穿电压vz最小值(v):17.100
齐纳击穿电压vz典型值(v):18
齐纳击穿电压vz最大值(v):18.900
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):45
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:x2
封装/温度(℃):sod123/-65~150
价格/1片(套):￥.38
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