1SMB5913BT3G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:225
产品型号:1smb5913bt3g
齐纳击穿电压vz最小值(v):3.130
齐纳击穿电压vz典型值(v):3.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):3.470
@izt(ma):113.600
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):3
芯片标识:913b
封装/温度(℃):smb/-65~150
价格/1片(套):￥1.30
齐纳击穿电压vz最小值(v):3.130
齐纳击穿电压vz典型值(v):3.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):3.470
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齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):3
芯片标识:913b
封装/温度(℃):smb/-65~150
价格/1片(套):￥1.30
产品型号:1smb5913bt3g
齐纳击穿电压vz最小值(v):3.130
齐纳击穿电压vz典型值(v):3.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):3.470
@izt(ma):113.600
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):3
芯片标识:913b
封装/温度(℃):smb/-65~150
价格/1片(套):￥1.30
齐纳击穿电压vz最小值(v):3.130
齐纳击穿电压vz典型值(v):3.300
齐纳击穿电压vz最大值(v):3.470
@izt(ma):113.600
齐纳阻抗zzt(ω):10
最大功率pmax(w):3
芯片标识:913b
封装/温度(℃):smb/-65~150
价格/1片(套):￥1.30
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