MM3Z2V4T1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:314
产品型号:mm3z2v4t1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.200
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.400
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.200
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.400
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mm3z2v4t1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.200
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.400
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):2.200
齐纳击穿电压vz典型值(v):2.400
齐纳击穿电压vz最大值(v):2.600
@izt(ma):5
齐纳阻抗zzt(ω):100
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:0
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
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