MM3Z33VT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:297
产品型号:mm3z33vt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:18
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:18
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
产品型号:mm3z33vt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:18
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
齐纳击穿电压vz最小值(v):31
齐纳击穿电压vz典型值(v):33
齐纳击穿电压vz最大值(v):35
@izt(ma):2
齐纳阻抗zzt(ω):80
最大功率pmax(w):0.200
芯片标识:18
封装/温度(℃):sod323/-65~150
价格/1片(套):￥.25
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