高电压工业环境对高精度运算放大器的性能要求苛刻，德州仪器(ti)为此推出opa211和opa82两款放大器。它们与业界同类36v放大器相比，均实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸和高带宽，适合于测试测量、仪表、影像、医疗、音频和过程控制等应用。这两款放大器是采用ti公司独创的bicom3hv“互双极36v硅锗（sige）”工艺开发的首批器件。

　　opa211（见图1）是双极输入运算放大器，仅需3.6ma电源电流即可实现1.1nv/√hz电压噪声和80mhz增益带宽(gbw)。该器件具有 100mv失调电压，0.2mv/℃失调电压漂移和低于1ms的建立时间，非常适合于驱动数据采集系统中的高精度模数转换器。此外，该器件还支持轨至轨输出振幅，从而扩大了动态范围。opa211工作电源电压范围为±2.25v~±18v，采用8引脚msop封装或8引脚dfn封装。3mm×3mm dfn封装面积仅为标准8引脚so封装的三分之一。

　　opa827（见图2）是jfet输入运算放大器，它结合了优秀的dc和ac性能。其中dc性能为4.5nv/√hz电压噪声，250mv失调电压，1mv/℃失调电压漂移

以及400nv_pp频率噪声。ac性能为18mhz gbw，22v/ms电压摆率和在1khz频率条件下具有0.0004%总谐波失真(thd)。opa827的工作电源电压范围为±4v~±18v，电源电流只需4.5ma。该器件采用8引脚msop封装，与8引脚so封装相比占用面积减少了一半。

　　bicom3hv工艺率先采用硅锗技术的36v工艺，实现了高速度、低噪声、低功耗等特性，可满足未来高电压工业应用的需求。该工艺引入硅绝缘体(soi)技术缩小了晶体管尺寸，从而ti晶体管尺寸仅为采用最先进工艺技术的同类产品的1/11。soi还具有其它优势，例如低泄漏电流和更小晶体管间影响。bicom3hv工艺非常适合于新一代工业电压运算放大器（双极输入和fet输入）、仪表放大器、可编程增益放大器和高精度参考。