飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出poweredge™双频带(wcdma/ umts) rf功率放大器模块 (pam)，可将效率 (pae) 提高至42％，大大超越同类型产品。飞兆半导体的rmpa2265是第一个3x3 mm lcc 封装,可于1850-1910 mhz 和1920-1980 mhz两个频带工作的3g 射频放大器模块，其面积较4x4 mm封装缩小约44％。rmpa2265可满足当今3g移动电话、pda和无线pc数据卡等产品设计对射频功放 高效率、灵活的频率特性和更小尺寸的要求。rmpa2265还合乎新兴的高速下行链路分组接入 (hsdpa) 标准。

rmpa2265的卓越线性和高功率增加效率是通过飞兆半导体专有的ingap异质结双极晶体管 (hbt) 技术来实现。该器件带有可选的高/低功率模式，用于进一步优化电流消耗。这种两阶功率放大器可在内部将输入和输出阻抗匹配至50欧姆，从而减少外部器件数目，简化设计要求。

rmpa2265是无铅器件，能达到甚至超越ipc/jedec的j-std-020b标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

价格 (订购10,000个): 每个0.98美元
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