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NS九款高精度低电压放大器

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:450

国家半导体公司 (national semiconductor) 宣布推出九款采用专有的 vip50 bicmos 工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善,符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求,而且体积也极为小巧,适用于各种便携式电子产品。美国国家半导体早于 2005 年 9 月便已率先推出六款采用这种工艺技术制造的放大器产品。

lpv531、lmv654、lmv792、lmv796 及 lmv797 等芯片是美国国家半导体最新推出的五款低功率、低电压放大器。这五款产品的增益带宽积都达到世界先进水平。以 12mhz 单位增益带宽的 lmv654 四组装运算放大器为例来说,其耗电量比主要竞争产品少 50%。lmv792 系列芯片适用于 -40°c 至 125°c 的广阔温度范围,并保证这个范围内的噪音低至只有 5.8nv/sqrt hz,而输入偏置电流则低至只有 100fa。此外,lpv531 微功率运算放大器设有可调节的增益带宽控制,而且只需利用一个外置电阻便可控制功率调节功能。这款放大器芯片只需调节同一外置电阻的偏压,便可因应实际工作量而在待机模式与全功率模式之间进行切换。美国国家半导体在不久之前已推出 lmv651、lmv791 和 lpv511 等多款单组装放大器以及 lpv7215 微功率比较器,这几款低功率、低电压产品是继这几款单组装产品之后最新推出的几个型号。

美国国家半导体早在 2005 年便已推出 lmp7701 及 lmp7711 两款单组装高精度放大器,今次再推出 lmp7704、lmp7712、lmp7715 及 lmp7716 等四款全新的高精度放大器,使这系列 vip50 高精度放大器产品有更多型号可供选择。这四款全新的单组装、双组装及四组装放大器不但性能更高,而且输入偏移电压不超过 220uv,输入偏置电流则保证低于 50pa。此外,这四款芯片都可利用高达 12v 的供电操作。

lmp7712 双组装运算放大器的 mos 输入电流极低 (50fa),但噪音仍可保持在 6nv/sqrt hz 以下的低水平,有助减少失真及信号调节错误。由于采用高精度薄膜电阻及匹配完好的晶体管对,从而确保其输入电压偏移错误保证不会超过 180uv,而且共模抑制比 (cmrr) 及电源抑制比 (psrr) 都可提高至 100db。此外,这款芯片适用于 -40°c 至 125°c 的温度范围,并保证这个范围内的偏移电压漂移 (tcvos) 低至只有 1.75uv/°c。

lmp7704 四组装高精度放大器可以利用 2.7v 至 12v 的供电操作,而且其轨到轨 cmos 输入的输入偏压电流低至只有 200fa。该器件利用微调及设计技术彻底清除传统 cmos 轨到轨输入放大器常有的较大偏移错误,来改善输入偏移电压,使整个共模电压范围 (0v 至 12v) 内的输入偏移电压不超过 220uv。这款运算放大器芯片也采用已注册专利的校正技术,以调低偏移电压温度系数,以一般的 cmos 高精度放大器为例来说,这个系数通常都很大。这款产品采用 14 引脚 tssop 封装。

lmv792、lmv796 及 lmv797 等三款低噪音 cmos 输入双组装运算放大器的平带噪音只有 5.8nv/sqrt hz。此外,这几款运算放大器的偏移电压不会超过 1.35mv,而温度系数则低至 1.8uv/°c 以下,两者都有助提高系统的准确性。这几款芯片的 psrr 及 cmrr 都高达 100db,确保使用直流电时的表现符合高性能应用的要求。此外,lmv792 放大器芯片还设有停机功能,可将空闲模式的功耗减至 1ua 以下。lmv792 芯片采用 10 引脚的 msop 封装。lmv796 芯片采用 5 引脚的 sot23 封装,而 lmv797 芯片则采用 8 引脚的 msop 封装。这两款芯片最适用于以系统停机取代本地停机的应用。

lmv654 芯片采用高效率的设计,操作时只耗用 400ua 的电流,因此耗电比旧型号运算放大器少 50%,但即使这样,这款芯片仍可支持 12mhz 的单位增益带宽,而输入参考噪音电压低至只有 17nv/sqrt hz。由于这款芯片有很多优点,例如输入偏移电压不超过 1.5mv、cmrr 达 100db 及 psrr 达 95db,因此可以确保直流电系统在不同的输入电压及供电电压范围内都能符合高准确度的要求。lmv654 芯片采用 14 引脚的 tssop 封装。

上述九款新产品都采用符合 vip50 工艺的设计。vip50 是一种绝缘硅 bicmos 工艺技术,其优点是采用可微调而高度准确的薄膜电阻,因此最适用于开发先进的运算放大器及比较器。美国国家半导体可以充分利用其 vip50 工艺技术设计一系列全新的高性能、高精度运算放大器以及极具能源效益的低电压放大器产品。

这九款新产品全部都有大量现货供应,采购以 1,000 颗为单位,单颗价由 0.75 美元至 2.49 美元不等。



国家半导体公司 (national semiconductor) 宣布推出九款采用专有的 vip50 bicmos 工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善,符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求,而且体积也极为小巧,适用于各种便携式电子产品。美国国家半导体早于 2005 年 9 月便已率先推出六款采用这种工艺技术制造的放大器产品。

lpv531、lmv654、lmv792、lmv796 及 lmv797 等芯片是美国国家半导体最新推出的五款低功率、低电压放大器。这五款产品的增益带宽积都达到世界先进水平。以 12mhz 单位增益带宽的 lmv654 四组装运算放大器为例来说,其耗电量比主要竞争产品少 50%。lmv792 系列芯片适用于 -40°c 至 125°c 的广阔温度范围,并保证这个范围内的噪音低至只有 5.8nv/sqrt hz,而输入偏置电流则低至只有 100fa。此外,lpv531 微功率运算放大器设有可调节的增益带宽控制,而且只需利用一个外置电阻便可控制功率调节功能。这款放大器芯片只需调节同一外置电阻的偏压,便可因应实际工作量而在待机模式与全功率模式之间进行切换。美国国家半导体在不久之前已推出 lmv651、lmv791 和 lpv511 等多款单组装放大器以及 lpv7215 微功率比较器,这几款低功率、低电压产品是继这几款单组装产品之后最新推出的几个型号。

美国国家半导体早在 2005 年便已推出 lmp7701 及 lmp7711 两款单组装高精度放大器,今次再推出 lmp7704、lmp7712、lmp7715 及 lmp7716 等四款全新的高精度放大器,使这系列 vip50 高精度放大器产品有更多型号可供选择。这四款全新的单组装、双组装及四组装放大器不但性能更高,而且输入偏移电压不超过 220uv,输入偏置电流则保证低于 50pa。此外,这四款芯片都可利用高达 12v 的供电操作。

lmp7712 双组装运算放大器的 mos 输入电流极低 (50fa),但噪音仍可保持在 6nv/sqrt hz 以下的低水平,有助减少失真及信号调节错误。由于采用高精度薄膜电阻及匹配完好的晶体管对,从而确保其输入电压偏移错误保证不会超过 180uv,而且共模抑制比 (cmrr) 及电源抑制比 (psrr) 都可提高至 100db。此外,这款芯片适用于 -40°c 至 125°c 的温度范围,并保证这个范围内的偏移电压漂移 (tcvos) 低至只有 1.75uv/°c。

lmp7704 四组装高精度放大器可以利用 2.7v 至 12v 的供电操作,而且其轨到轨 cmos 输入的输入偏压电流低至只有 200fa。该器件利用微调及设计技术彻底清除传统 cmos 轨到轨输入放大器常有的较大偏移错误,来改善输入偏移电压,使整个共模电压范围 (0v 至 12v) 内的输入偏移电压不超过 220uv。这款运算放大器芯片也采用已注册专利的校正技术,以调低偏移电压温度系数,以一般的 cmos 高精度放大器为例来说,这个系数通常都很大。这款产品采用 14 引脚 tssop 封装。

lmv792、lmv796 及 lmv797 等三款低噪音 cmos 输入双组装运算放大器的平带噪音只有 5.8nv/sqrt hz。此外,这几款运算放大器的偏移电压不会超过 1.35mv,而温度系数则低至 1.8uv/°c 以下,两者都有助提高系统的准确性。这几款芯片的 psrr 及 cmrr 都高达 100db,确保使用直流电时的表现符合高性能应用的要求。此外,lmv792 放大器芯片还设有停机功能,可将空闲模式的功耗减至 1ua 以下。lmv792 芯片采用 10 引脚的 msop 封装。lmv796 芯片采用 5 引脚的 sot23 封装,而 lmv797 芯片则采用 8 引脚的 msop 封装。这两款芯片最适用于以系统停机取代本地停机的应用。

lmv654 芯片采用高效率的设计,操作时只耗用 400ua 的电流,因此耗电比旧型号运算放大器少 50%,但即使这样,这款芯片仍可支持 12mhz 的单位增益带宽,而输入参考噪音电压低至只有 17nv/sqrt hz。由于这款芯片有很多优点,例如输入偏移电压不超过 1.5mv、cmrr 达 100db 及 psrr 达 95db,因此可以确保直流电系统在不同的输入电压及供电电压范围内都能符合高准确度的要求。lmv654 芯片采用 14 引脚的 tssop 封装。

上述九款新产品都采用符合 vip50 工艺的设计。vip50 是一种绝缘硅 bicmos 工艺技术,其优点是采用可微调而高度准确的薄膜电阻,因此最适用于开发先进的运算放大器及比较器。美国国家半导体可以充分利用其 vip50 工艺技术设计一系列全新的高性能、高精度运算放大器以及极具能源效益的低电压放大器产品。

这九款新产品全部都有大量现货供应,采购以 1,000 颗为单位,单颗价由 0.75 美元至 2.49 美元不等。



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