来源：单片机及嵌入式系统应用 作者：兵器工业第58研究所 左颢睿 李焱 马艳

    摘 要：以tms320vc5410-p.htm" target="_blank" title="tms320vc5410货源和pdf资料">tms320vc5410为例，介绍对am29lv200b flash存储器进行程序分页烧写以及上电后多页用户程序并行自举的方法。对多页flash存储器的烧写，须在烧写过程中对已烧写的数据长度进行动态判断，当达到预定烧写长度后对flash进行换页，然后继续烧写，重复上述换页过程，直到程序烧写完为止。对多页程序的并行自举，在系统上电后，利用ti提供的自举程序，将一个用户自己编写的前导程序载入dsp，利用该前导程序将多页程序载入dsp来实现程序的自举。此方法适用于多种fiash芯片和c5000系列dsp。

    关键词：tms320vc5410-p.htm" target="_blank" title="tms320vc5410货源和pdf资料">tms320vc5410 am29lv200b dsp 多页并行自举

    ti公司的dsp芯片tms320vc5410(简称5410)是性能卓越的低功耗定点dsp，在嵌入式系统中有着广泛的应用。5410没有自带的片上非易失性存储器，因此需要外部的非易失性存储介质，如eprom或flash，来存储程序和数据。5410片内有64 k字ram，由于在片内ram运行程序比片外运行有高速度低功耗等显著优点，通常上电后都需要从片外eprom或flash上加载程序到片内ram，但是芯片自带的自举程序(简称bootloader)只支持32 k字以内的外部程序加载，因此程序设计往往局限于32 k字空间内，限制了编程的灵活性，不能充分发挥5410的性能。当程序空问大于32 k字时，就需要自己编写程序来实现自举。下面首先介绍使用5410对am29lv200bflash存储器进行程序分页烧写的方法，然后重点介绍利用bootloader来编程实现多页并行自举引导的方法。

    1 am29lv200b flash 存储器的分页烧写

    1.1 fiash 存储器简介

    am29lv200b(简称flash)是amd公司生产的flash存储器，主要特点有：3 v单电源供电，可内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持jedec单电源flash存储器标准；只需向其命令寄存器写人标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其他部分的数据。文中128k×16位am29lv200b flash映射为5410的片外数据存储空间，地址为：0x8000～0xffff，数据总线16位，用于16位方式的并行引导装载。128k的flash被分为7页进行访问。本文通过dsp的i／o端口向fpga写控制字，由fpga控制flash的换页引脚对各个分页进行访问；以烧写2个页面为例，使用flash的第1、2页，初始化时选中第l页。

    1.2 flash 存储器的分页烧写

    flash的页面分配和相应的引脚控制如表1所列。关于am29lv200b的擦除、写、校验等详细操作，请见参考文献[1]、[2]。

    从表1可以看到，通过对a16、a15等地址引脚的控制，可以实现flash的页面切换。在烧写过程中，只要在指定页面烧写完预定空间后就对flash进行换页，然后将烧写指针指向新的一页的首地址，就可以继续进行烧写，当程序烧写完成后需要将页面换回到第1页，在第1页的ffffh地址写入8000h，这样bootloader可以从这一页开始自举。整个烧写程序流程如图1所示。

    这里会出现一个问题：程序烧写好后，虽然bootloader可以自动加载程序，但是bootloader怎样在加载过程中自动换页?下面详细介绍利用片上bootloader编程实现多页程序并行加载的方法。

    2 多页并行加载的实现

    实现多页加载，关键问题是要让bootloader知道什么时候可以换页；但是bootloader是固化在5410片上rom内的，无法对其进行编程。解决的方法是通过自己编写一段“前导”加载程序(简称loader)来实现加载中的换页：首先将loader和用户程序都烧写到flash中，当系统上电后，bootloader将loader加载到片上并运行，然后loader将flash