由于在智能卡上采取新的安全措施，如引入生物计测数据，又由于人们倾向于增加智能卡的功能，因此，存储在智能卡上的信息数量不断增加。同时，功耗必须加以控制，尤其是在非接触智能卡场合更是如此，因为非接触智能卡唯一可用的电源就是它能从本地射频电磁场获取的电能。皇家飞利浦电子公司用 0.18μm cmos18 工艺制造的新型低压低功耗 eeprom 器件正好符合增加智能卡存储容量和灵活性的这一行业需求。

    飞利浦公司的字节可变 eeprom 技术与该公司现有的嵌入式闪存技术完全兼容，从而使混合式闪存eeprom 系统成为可能。飞利浦公司的这种新型存储技术，由于其存储器单元只有 1.2μm2，是常规 eeprom 的四分之一，所以可在符合智能卡成本约束条件的硅面积内提供多达 256 kb 的 eeprom。

    飞利浦公司新型 cmos18 型eeprom 存储器现在就可用于设计中，并得到该公司所有 cmos18 设计工具的支持，其中包括通过标准 jtag 接口提供存储器测试工具。

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