DRAM市场稳步发展 512M DDRⅡ渐成主流
发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:540
    
     对于dram供应商来说,2004年是一个不错的年头。来自市场调研公司isuppli的调查报告显示,2004年全球dram芯片市场收入达到267亿美元,与去年同期相比增长56.2%。相对于前几年dram市场的大幅波动和剧烈震荡,2004年dram市场表现强劲,已经由买方市场转变为卖方市场。业界人士认为,促成这种变化的主要原因是dram供应商的产品多元化战略。
     多元化战略促使dram市场稳步发展。内存制造商传统的业务模式是尽可能地多生产dram以填满晶圆厂产能,不管市场状况。若要提高产能利用率,除了dram外别无其它产品,这也就是dram价格很容易在供给增加时大幅波动的原因。不过,现在情况有了改变,目前,内存厂商除可以生产标准dram产品,还可以生产nand闪存、cmos影像传感器和专用内存。这种灵活性一改dram供应商以前的被动。micron公司移动存储器部门副总裁jan du preez 认为,nand市场与dram市场十分相象,这就是为什么主要的dram制造商都要进入nand市场的原因。同时,cmos影像传感器也可以采用和dram类似的加工工艺。micron公司影像部门营销总监farhad d. rostamian说,dram工艺对漏电流控制严格,而漏电流的大小直接影响到暗电流的大小,响应产品的功耗。借助于在 dram生产方面成熟的技术和经验,采用和dram相似的加工工艺生产cmos产品,可以很好的控制产品的功耗和尺寸。micron在努力实现产品多元化的同时,失去dram市场第二的位置是其付出的代价。目前,samsung、hynix、micron和infineon四大dram供货商占据了dram市场大部分的市场份额。除micron外,hynix、infineon等主要dram产品供应商也都在关注产品的多样化。正是由于这种结构性变化,dram市场不会再经历过去那种急剧衰退。但是,dram市场将继续面临周期性变化。
     512m ddrⅱ成为2005年dram市场主流。虽然,dram市场2004年表现强劲,但由此引发的供应商大量投资生产以及激烈的价格竞争,使人们多少都猜测到2005年的存储器市场将面临萧条。据sia 预计,2005年dram市场规模将下降14.7%。三星也指出,内存芯片2005年的需求量将比2004年下降30%。gartner也认为dram市场在2005年将下滑。相比之下,isuppli的预测似乎乐观一些,他们认为2005年的存储器市场将保持平稳发展。 面对并不乐观的市场前景,全球各大存储器供应商丝毫未曾懈怠,存储器市场的技术竞争愈来愈趋向“白热化”。对于2005年dram市场的技术发展趋势,micron公司先进技术与策略营销执行总监terry lee认为,512m ddrⅱ将在2005年成为dram市场的主流,在高端服务器、台式机和笔记本电脑上都将得到采用,并且笔记本电脑内存需求强劲,将继续走高。同时,ddrⅱ和ddr在2005年将会在市场上展开竞争。与上一代产品相比,ddrⅱ密度更高,最高可达4gb;由于改进了供电输送方式,功耗更低;采用fbga封装,降低了输入电容;同时,采用芯片内终止技术,具有更宽的电压范围,减少母板成本。
     在ddrⅱ性能提升的同时,封装测试和良品率成为影响ddrⅱ广泛应用的主要问题。通常,因为ddrⅱ sdram的结构更复杂,其测试时间(400s~450s)比ddr sdram的测试时间(300s~350s)要长30%。而且,ddrⅱ使用细间距的bga代替了ddr的sop封装,这使得第二代产品的后端成本比第一代增加了20%。同时,为了降低成本,一线dram厂商已经或计划把工艺由目前的0.11μm转变为90nm。但90nm工艺的采用,会使ddr初期良品率不高,因而使2005年全年的整体dram产量受到限制。isuppli预测,随着90nm产品的成品率在2006年开始改善,将使以位计算的产量每年增长60%,同时导致dram市场进入供应过剩状态。这将使dram销售额在2006年下降30%左右。 在改进工艺的同时,各大存储器厂商也都在致力于dram技术创新。例如,micron公司独有的6f2技术进一步改善了dram产品的性能、降低了成本。传统dram单元的大小等于光刻特征尺寸的平方乘以系数8 (8f2),而micron压缩了该单元,使系数减小到6(6f2)。terry lee介绍,和竞争对手采用的8f2相比,采用6f2技术生产的产品具有更小的裸片尺寸,即每个记忆单元的大小从8f2减小到6f2。除了将裸片尺寸减小20%(这意味着更低的生产成本)外,较小的单元尺寸还能缩短存储器的信号线长度,降低电容并提高性能。
     消费电子产品对dram技术的需求落后于pc市场。2005年,dram最大的消费市场仍属pc领域,并逐步向ddrⅱ过渡。terry lee介绍:“2005年计算机存储市场将向ddrⅱ转移,256m在2004年已经成为台式机的主流,预计2005年将过渡为512m。”
     随着3g即将启动,手机将成为继pc之后的第二大存储器消费市场。根据micron公司的市场调查,由于手机中数码相机、音
    
     对于dram供应商来说,2004年是一个不错的年头。来自市场调研公司isuppli的调查报告显示,2004年全球dram芯片市场收入达到267亿美元,与去年同期相比增长56.2%。相对于前几年dram市场的大幅波动和剧烈震荡,2004年dram市场表现强劲,已经由买方市场转变为卖方市场。业界人士认为,促成这种变化的主要原因是dram供应商的产品多元化战略。
     多元化战略促使dram市场稳步发展。内存制造商传统的业务模式是尽可能地多生产dram以填满晶圆厂产能,不管市场状况。若要提高产能利用率,除了dram外别无其它产品,这也就是dram价格很容易在供给增加时大幅波动的原因。不过,现在情况有了改变,目前,内存厂商除可以生产标准dram产品,还可以生产nand闪存、cmos影像传感器和专用内存。这种灵活性一改dram供应商以前的被动。micron公司移动存储器部门副总裁jan du preez 认为,nand市场与dram市场十分相象,这就是为什么主要的dram制造商都要进入nand市场的原因。同时,cmos影像传感器也可以采用和dram类似的加工工艺。micron公司影像部门营销总监farhad d. rostamian说,dram工艺对漏电流控制严格,而漏电流的大小直接影响到暗电流的大小,响应产品的功耗。借助于在 dram生产方面成熟的技术和经验,采用和dram相似的加工工艺生产cmos产品,可以很好的控制产品的功耗和尺寸。micron在努力实现产品多元化的同时,失去dram市场第二的位置是其付出的代价。目前,samsung、hynix、micron和infineon四大dram供货商占据了dram市场大部分的市场份额。除micron外,hynix、infineon等主要dram产品供应商也都在关注产品的多样化。正是由于这种结构性变化,dram市场不会再经历过去那种急剧衰退。但是,dram市场将继续面临周期性变化。
     512m ddrⅱ成为2005年dram市场主流。虽然,dram市场2004年表现强劲,但由此引发的供应商大量投资生产以及激烈的价格竞争,使人们多少都猜测到2005年的存储器市场将面临萧条。据sia 预计,2005年dram市场规模将下降14.7%。三星也指出,内存芯片2005年的需求量将比2004年下降30%。gartner也认为dram市场在2005年将下滑。相比之下,isuppli的预测似乎乐观一些,他们认为2005年的存储器市场将保持平稳发展。 面对并不乐观的市场前景,全球各大存储器供应商丝毫未曾懈怠,存储器市场的技术竞争愈来愈趋向“白热化”。对于2005年dram市场的技术发展趋势,micron公司先进技术与策略营销执行总监terry lee认为,512m ddrⅱ将在2005年成为dram市场的主流,在高端服务器、台式机和笔记本电脑上都将得到采用,并且笔记本电脑内存需求强劲,将继续走高。同时,ddrⅱ和ddr在2005年将会在市场上展开竞争。与上一代产品相比,ddrⅱ密度更高,最高可达4gb;由于改进了供电输送方式,功耗更低;采用fbga封装,降低了输入电容;同时,采用芯片内终止技术,具有更宽的电压范围,减少母板成本。
     在ddrⅱ性能提升的同时,封装测试和良品率成为影响ddrⅱ广泛应用的主要问题。通常,因为ddrⅱ sdram的结构更复杂,其测试时间(400s~450s)比ddr sdram的测试时间(300s~350s)要长30%。而且,ddrⅱ使用细间距的bga代替了ddr的sop封装,这使得第二代产品的后端成本比第一代增加了20%。同时,为了降低成本,一线dram厂商已经或计划把工艺由目前的0.11μm转变为90nm。但90nm工艺的采用,会使ddr初期良品率不高,因而使2005年全年的整体dram产量受到限制。isuppli预测,随着90nm产品的成品率在2006年开始改善,将使以位计算的产量每年增长60%,同时导致dram市场进入供应过剩状态。这将使dram销售额在2006年下降30%左右。 在改进工艺的同时,各大存储器厂商也都在致力于dram技术创新。例如,micron公司独有的6f2技术进一步改善了dram产品的性能、降低了成本。传统dram单元的大小等于光刻特征尺寸的平方乘以系数8 (8f2),而micron压缩了该单元,使系数减小到6(6f2)。terry lee介绍,和竞争对手采用的8f2相比,采用6f2技术生产的产品具有更小的裸片尺寸,即每个记忆单元的大小从8f2减小到6f2。除了将裸片尺寸减小20%(这意味着更低的生产成本)外,较小的单元尺寸还能缩短存储器的信号线长度,降低电容并提高性能。
     消费电子产品对dram技术的需求落后于pc市场。2005年,dram最大的消费市场仍属pc领域,并逐步向ddrⅱ过渡。terry lee介绍:“2005年计算机存储市场将向ddrⅱ转移,256m在2004年已经成为台式机的主流,预计2005年将过渡为512m。”
     随着3g即将启动,手机将成为继pc之后的第二大存储器消费市场。根据micron公司的市场调查,由于手机中数码相机、音