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闪存LH28F160及基于DSP的编程写入

发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:539

作者:北京理工大学 何 鑫 裴洪安 来源:《国外电子元器件》

闪存lh28f160及基于dsp的编程写入 摘要:flash memory是一种可以在线进行电擦写,并在掉电后信息不丢失的存储器,可广泛应用于外部存储系统中。文中介绍了sharp公司的闪烁存储器lh28f160s5t的功能特点及工作状态,详细叙述了在ti公司的dsp tms320c32pcm60仿真环境下,lh28f160s5t的硬件接口电路及软件编程方法。 关键词:闪烁存储器 dsp lh28f160s5t 1 闪存介绍 闪存(flash memory-p.htm" target="_blank" title="memory货源和pdf资料">memory闪烁存储器)是一种可以在线进行电擦写,并在掉电后信息不丢失的存储器。是近年来发展最快的一种存储器芯片。由于这种芯片具有不挥发的特性,因而可广泛应用于外部存储领域,如存储个人计算机和电子笔记本os应用程序和系统数据等。同时它还具有在线电擦写、低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并可在内部加入嵌入式算法以便对芯片进行操作。目前由于闪存具有与dram等同的低价位成本,因而使得它在寻呼机系统、智能仪表、嵌入式系统、笔记本电脑等领域得到了广泛的应用。表1所列为内存与其它存储器和特性比较。

表1 各种半导体存储的特性比较   种 类 读出速度 变更方式 写入速度 数据保持功率 相对位成本 ram dram (1~9)*10ns 重写 10ns~90ns (1~9)*100μw 1 sram (1~9)*10ns 重写 10ns~90ns (1~9)*100μw 4 nvram 100ns 重写 10ms 不要 1000 rom eeprom 100ns 重写 10ms 不要 10 eprom 100ns 紫外线擦除+电气写入 100s900s 不要 1.2 闪烁存储器 100ns 紫外线擦除+电气写入 10s 不要 1 otp 100ns 不可 不要 0.8 掩膜rom 100ns 不可 不要 0.5 2 闪存lh28f160s5t主要特点 lh28f160s5t是sharp公司推出的16mbit的闪存产品,它具有以下特点: ●5v工作电压,5v写入电压; ●具有通用flash接口(cfi); ●可扩充的命令集; ●高速写入性能,写入速度可达2μs/byte; ●高速读出性能,读取速度为70ns; ●高密度对称式分块结构,具有32个64kbyte的可擦除块; ●用户可配置×8

作者:北京理工大学 何 鑫 裴洪安 来源:《国外电子元器件》

闪存lh28f160及基于dsp的编程写入 摘要:flash memory是一种可以在线进行电擦写,并在掉电后信息不丢失的存储器,可广泛应用于外部存储系统中。文中介绍了sharp公司的闪烁存储器lh28f160s5t的功能特点及工作状态,详细叙述了在ti公司的dsp tms320c32pcm60仿真环境下,lh28f160s5t的硬件接口电路及软件编程方法。 关键词:闪烁存储器 dsp lh28f160s5t 1 闪存介绍 闪存(flash memory-p.htm" target="_blank" title="memory货源和pdf资料">memory闪烁存储器)是一种可以在线进行电擦写,并在掉电后信息不丢失的存储器。是近年来发展最快的一种存储器芯片。由于这种芯片具有不挥发的特性,因而可广泛应用于外部存储领域,如存储个人计算机和电子笔记本os应用程序和系统数据等。同时它还具有在线电擦写、低功耗、大容量、擦写速度快等特点,并可在内部加入嵌入式算法以便对芯片进行操作。目前由于闪存具有与dram等同的低价位成本,因而使得它在寻呼机系统、智能仪表、嵌入式系统、笔记本电脑等领域得到了广泛的应用。表1所列为内存与其它存储器和特性比较。

表1 各种半导体存储的特性比较   种 类 读出速度 变更方式 写入速度 数据保持功率 相对位成本 ram dram (1~9)*10ns 重写 10ns~90ns (1~9)*100μw 1 sram (1~9)*10ns 重写 10ns~90ns (1~9)*100μw 4 nvram 100ns 重写 10ms 不要 1000 rom eeprom 100ns 重写 10ms 不要 10 eprom 100ns 紫外线擦除+电气写入 100s900s 不要 1.2 闪烁存储器 100ns 紫外线擦除+电气写入 10s 不要 1 otp 100ns 不可 不要 0.8 掩膜rom 100ns 不可 不要 0.5 2 闪存lh28f160s5t主要特点 lh28f160s5t是sharp公司推出的16mbit的闪存产品,它具有以下特点: ●5v工作电压,5v写入电压; ●具有通用flash接口(cfi); ●可扩充的命令集; ●高速写入性能,写入速度可达2μs/byte; ●高速读出性能,读取速度为70ns; ●高密度对称式分块结构,具有32个64kbyte的可擦除块; ●用户可配置×8

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