摘要：文章详细介绍了IDT公司生产的新型先进先出异步CMOS FIFO存储寄存器芯片IDT7203的组成结构、功能原理和运行方式，分析了它的字长和字深的扩展方法。给出了IDT7203芯片在虚拟示波器硬件系统设计中的应用方法。

    关键词：先进先出 存储器 单片机 数据传输 IDT7203

在某些高速数据传输和实时显示控制领域中，往往需要对数据实现快速存储和发送。而要实现这种高速数据的传输，则必须对数据进行快速采集、顺序存储和传送，而传统的存储器（如RAM系列）却无法胜任。IDT72XX系列是IDT公司新推出的先进先出（FIFO）存贮器芯片。它具有双口输入输出、采集传送速度快和先进先出的特点，能满足高速数据传输的要求。本文将结合笔者对该类芯片的实际应用体会来具体讨论异步CMOS FIFO IDT7203的性能[1]，以及它在虚拟示波器硬件系统设计中的应用。

1 IDT7203的内部结构及性能

IDT7203的内部结构原理如图1所示，从图中可知，该芯片是一个双端口的存储缓冲芯片，它结构简单，便于操作，并具有控制端、标志端、扩展端和内部RAM阵列，内部读、写指针在先进先出的基础上可进行数据的自动写入和读出。当有数据到数据输入端口（D0～D8）时，可由控制端W来控制数据的写。为了防止数据的写溢出，可用标志端满FF、半满HF来标明数据的写入情况。写入时由内部写指针安排其写入的位置。由于内部RAM阵列的特殊设计，先存入的数据将被先读出。如果需要数据外读，则可由控制端R来控制数据的读出情况。W、R由外部晶振提供脉冲。数据输出端口Q0～Q8是三态的，在无读信号时呈高阻态。“空EF”标志用来防止数据的空读；若需将内部数据重新读出可用控制端RT来实现。输入数据位D0～D8和输出数据位Q0～Q8提供9位输入输出位，可将其中一位用作控制或用户自定义。扩展端XI，XO、FT用来进行字深和字长的扩展，以便于多个芯片的组合使用。RS为复位端。需要注意的由：由于是异步输入输出，因此W、R不能同时有效。IDT7203的主要性能特点如下：

●先进先出；

●具有2048×9的存储结构；

●具有12ns的高速存取时间；

●低功耗：运行时为770mW(max)；掉电时为44mW(max)；

●可异步读出；

●可进行任意字深，字长的扩展；

●具有空、半满、满三个状态标志；

●具有重读功能；

●采用高性能的CMOS技术；

●使用温度范围为-40℃～+85℃。

2 引脚说明

IDT7203的引脚排列如图2所示，各主要引脚的功能如下：

W（WRITE ENABLE）：写入控制端。当无满标志，即FF为高时，在W的下降沿开始写周期。当存储器一半已满时，下一个W的下降沿置半满标志，即HF为低。为防止溢出，应在存储器最后一个数据写入时的W的下降沿置满标志，即FF为低。但此时已不能再对存储器进行写操作。

D0～D8：数据输入端口；

XI（EXPANSION IN）：扩展输入端。该端口接地表示单片操作。进行字深扩展时，应将