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阻断潜在高压直流通路避免高压电流施加在电池上的安全隐患

发布时间:2023/8/15 23:10:22 访问次数:120

470uF,30W无线VOOC闪充通过软硬件定制化的方式,对无线充电控制环路和充电芯片控制环路的双环路控制,让适配器、充电板和手机端三者形成无线VOOC充电协议闭环。

直流隔离方案能有效的阻断潜在的高压直流通路,从而避免高压电流施加在电池上所带来的安全隐患。

芯片内置LDO稳压电路单元模块,提供稳定电压给芯片触摸单元模块使用。芯片内部集成高效完善的触摸检测算法,芯片具有稳定的触摸检测效果。

芯片专为取代传统按键而设计,具有宽工作电压与低功耗的特性,满足电子产品触摸应用需求。

SiC FET器件的导电损耗更低,它在150°C下比SJ部件耗散的功率少了30%。

应用程序将定义当前级别,而不是开关中消耗的功率。给定的电流,SiC fet的表现可能比Si更好,因为SiC的热阻比Si低,所以温度更低。

较低的开关损耗和碳化硅场效应晶体管的体二极管损耗也降低了整体封装损耗,使得相对结温升更低,相对Rds(on)值更低。考虑到碳化硅场效应晶体管器件的门极费用较低,再加上相应的节能措施,采用更小的缓冲器,好处就会大大增加。

软硬体功能齐全的发展系统HT-IDE3000(Windows -based),包含有即时模拟(In-Circuit-Emulator)、执行追踪分析等功能,并提供各种应用指南,适合需要更快速并更有效率发展程式及除错的使用者进行产品开发。

TinyPower液晶(LCD)快闪记忆体(Flash)微控制器(MCU),全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个微控制器,符合工业上-40°C~85°C工作温度与高抗杂讯之性能要求。

48~80接脚的不同封装型式,搭配TinyPower快闪记忆体微控制器的丰沛硬体资源及使用弹性,适合各种应用领域的产品,诸如家电、工业控制、面板显示及医疗保健等。


深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

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直流隔离方案能有效的阻断潜在的高压直流通路,从而避免高压电流施加在电池上所带来的安全隐患。

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SiC FET器件的导电损耗更低,它在150°C下比SJ部件耗散的功率少了30%。

应用程序将定义当前级别,而不是开关中消耗的功率。给定的电流,SiC fet的表现可能比Si更好,因为SiC的热阻比Si低,所以温度更低。

较低的开关损耗和碳化硅场效应晶体管的体二极管损耗也降低了整体封装损耗,使得相对结温升更低,相对Rds(on)值更低。考虑到碳化硅场效应晶体管器件的门极费用较低,再加上相应的节能措施,采用更小的缓冲器,好处就会大大增加。

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