新的同轴PIN二极管SPDT开关具有隔离度和开关速度高的特点.

新的单刀双掷（SPDT）PIN二极管开关，其具有出色的可靠性和可重复性能，采用稳定的紧凑型同轴封装。它们通常用于和测试与测量有关的RF、微波和毫米波测试系统，通信系统，卫星通信系统，航空电子设备，雷达，高可靠性电子，医疗设备，实验室实验等。

特定应用包括接受测试的或者开关矩阵测试系统内使用的仪器仪表和器件之间的信号路由。此外，高开关速度对于串联多个开关的应用或者需要建立高灵敏度发送与接收开关速率的应用至关重要。

一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积(ALD)工艺，标志着其业界领先的ALTUS®产品系列又添新成员。

通过业内首创的低氟钨（LFW） ALD 工艺，ALTUS Max E系列能够帮助存储器芯片制造商应对当前所面临的诸多关键挑战，从而推动3D NAND及DRAM 器件尺寸持续缩小。

这一基于泛林业界领先的存储器制造产品组合的全新系统正逐步吸引全球市场的关注，在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生产商投入使用，并且被用于许多新技术和产品的研发。

功率元件最尖端的BiCDMOS工艺，并融入ROHM的模拟设计技术优势，可检测从1次侧*3到2次侧的电压、电流。因此，不再需要以往检测2次侧电压、电流所需的光电耦合器或变压器的3次绕组以及相关配件，使部件数量减少约一半，不仅可实现系统的小型化，还可更省电、可靠性更高。

隔离型电源控制IC存在着瞬间负载电流的变动使输出电压产生较大变动的课题，因此，ROHM将以往在非隔离型电源控制IC领域具有实际业绩的导通时间控制技术，新应用到了隔离型电源控制IC。

利用新开发的自适应导通时间控制技术，实现输出电压变动是一般控制方式的65%以下，仅为200mV,改善了瞬间负载电流变动对负载响应特性的影响，非常有助于提高可靠性。

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