位置:51电子网 » 技术资料 » D S P

片上数字音量控制改善线性和更灵活数据接口支持数字信号处理

发布时间:2022/12/31 18:45:49 访问次数:117

第一个能提供无限次重新配置和即时接通特性。在不挥发的结构中有电可擦除存储器和SRAM单元,允许器件在微秒内进行自身配置,在上电时成为一个电子系统。

工作在1.8V,2.5V 或3.3V,FPGA提供12.5万到120万门(2000到15000逻辑单元),RAM区块有92000到414000位,分布式RAM有30000到246000位。器件是高度安全的,因为电可擦除存储器在配置没有暴露在外的位码,而安全位则能阻止FPGA读回。

特性包括通用的可编功能单元和硬件加速算术和乘法以及分布式单口和双口FIFO,局部便笺式存储器所需要的移位寄存存储器等。

第二代音频DAC(数模转换)控制器WM8726,满足低电压,低功率和小尺寸的要求。

WM8726是24位192kHz立体声DAC,能工作在低到3V的电压。应用在对成本敏感的设备如数字电视,数字机顶盒,家庭影院,MP3,CD和DVD播放机。

WM8726的引脚和Wolfson微电子的WM8725的兼容,片上有数字音量控制,改善线性和更灵活的数据接口,支持标准的数字信号处理(DSP)数据格式。该器件能降低整个系统的功耗。

Wolfson公司的器件有多位三角结构,降低了对时钟抖动的灵敏度和带外噪音,信噪比(SNR)为100dB,总谐波失真(THD)为-95dB,改善了声音的质量。

为了支持DDR存储器系统,开关1用来产生2.5V电压,为存储器芯片供电(VDDQ),开关2提供1.25V浮置外部基准源,支持DDR有源终端的要求。

在42V汽车电子市场中,室温的导通电阻RDS(on)是最低的,4.5m欧姆。当用多个器件并联来控制大功率负载时,符合AECQ101标准的75V器件要有低栅电荷,以限制驱动电流的要求。

其指标如下:导通电阻RDS(on) 4.5到16m欧姆,总电荷:47到138nC,抗50A单脉冲和重复脉冲不钳位感性电涌能力为600mJ。器件封装为TO-264,TO-220和TO-252。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com


第一个能提供无限次重新配置和即时接通特性。在不挥发的结构中有电可擦除存储器和SRAM单元,允许器件在微秒内进行自身配置,在上电时成为一个电子系统。

工作在1.8V,2.5V 或3.3V,FPGA提供12.5万到120万门(2000到15000逻辑单元),RAM区块有92000到414000位,分布式RAM有30000到246000位。器件是高度安全的,因为电可擦除存储器在配置没有暴露在外的位码,而安全位则能阻止FPGA读回。

特性包括通用的可编功能单元和硬件加速算术和乘法以及分布式单口和双口FIFO,局部便笺式存储器所需要的移位寄存存储器等。

第二代音频DAC(数模转换)控制器WM8726,满足低电压,低功率和小尺寸的要求。

WM8726是24位192kHz立体声DAC,能工作在低到3V的电压。应用在对成本敏感的设备如数字电视,数字机顶盒,家庭影院,MP3,CD和DVD播放机。

WM8726的引脚和Wolfson微电子的WM8725的兼容,片上有数字音量控制,改善线性和更灵活的数据接口,支持标准的数字信号处理(DSP)数据格式。该器件能降低整个系统的功耗。

Wolfson公司的器件有多位三角结构,降低了对时钟抖动的灵敏度和带外噪音,信噪比(SNR)为100dB,总谐波失真(THD)为-95dB,改善了声音的质量。

为了支持DDR存储器系统,开关1用来产生2.5V电压,为存储器芯片供电(VDDQ),开关2提供1.25V浮置外部基准源,支持DDR有源终端的要求。

在42V汽车电子市场中,室温的导通电阻RDS(on)是最低的,4.5m欧姆。当用多个器件并联来控制大功率负载时,符合AECQ101标准的75V器件要有低栅电荷,以限制驱动电流的要求。

其指标如下:导通电阻RDS(on) 4.5到16m欧姆,总电荷:47到138nC,抗50A单脉冲和重复脉冲不钳位感性电涌能力为600mJ。器件封装为TO-264,TO-220和TO-252。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com


热门点击

 

推荐技术资料

业余条件下PCM2702
    PGM2702采用SSOP28封装,引脚小而密,EP3... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!