电源供电和银盒数据中心服务器中次级侧同步整流

发布时间:2022/11/6 21:13:59 访问次数:93

40V、1.1mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。

增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路，新推40V、典型值为0.8mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管。

EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40V~60V/12V DC/DC转换器次级侧的理想开关器件。它也是电源供电和银盒数据中心服务器中次级侧同步整流至12V的理想器件，而且适用于24V~32V的高密度电机驱动应用。

氮化镓场效应晶体管可在高频工作,具有高效率和13.9mm2的超小尺寸等优势,可以实现最高功率密度。

频率选件最高工作频率分别为56GHz和67GHz, 为处理67GHz及以上的数字调制信号带来更高性能。R&S SMW200A率先实现大于44GHz平坦的频率响应和2GHz调制带宽。除了支持高达44GHz的所有应用之外，新增100kHz至56GHz选项还涵盖了所有当前使用的5G频率，以及星地链路应用。

新增100kHz至67GHz选项还支持计划中的更高频率5G频段、60GHz WiGig频段和星间链路。

高精度复杂数字调制信号的独立矢量信号发生器的频率上限为44GHz。更高的频率只能通过外接上变频器或者牺牲精度来实现，但两者都有局限性。

R&S SMW200A提供了最大频率为56GHz和67GHz的新选件，极大地提高了产生高质量带宽数字调制信号的极限。

SMC(DO-214AB)封装的新系列表面贴装TRANSZORB®双向瞬态电压抑制器(TVS）---SMC3KxxxCAHM3_A,可用于汽车、工业和通信应用。SMC3KxxxCAHM3_A系列器件10/1000μs条件下浪涌性能高达3kW,符合ISO 16750-2 Pulse b规范，22V至120V漏电流低至1μA，工作温度达+175 °C。

General Semiconductor TVS通过AEC-Q101认证，在-55°C至+175°C整个工作温度范围内能提供非常稳定的击穿电压，达到11.1V至133V，适用于各种高可靠性应用。

器件可保护敏感电子设备，避免感应负载切换和照明引起的电压瞬变损坏，典型应用包括汽车抛负载保护，工业和通信系统信号线保护。