800W的自由空气对流冷却式AEA800F系列电源。考虑到一些苛刻应用的要求，AEA800F能够在长达3000ms的时间内提供300%的峰值功率。专为需求安全性高的应用设计，已通过工业应用的EN62477-1（OVC Ⅲ）标准认证，并获得了ANSI/AAMI ES60601-1和第三版EN60601-1的医疗认证。

AEA800F适用于医疗浮体（BF），并符合2MOPP（IN/OUT）和1MOPP（OUT/FG）安全隔离要求。针对自由空气对流冷却进行了一些布局优化，使其非常适合在低噪声环境下运行的设备中使用。

HYPERRAM™3.0器件，进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。HYPERRAM™3.0器件后，提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。

该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用，包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网（AIoT）和汽车车联网（V2X），以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。

在汽车领域，随着事故防止和自动驾驶技术的创新，对安全性能的要求也越来越高。

与此同时，控制包括车载传感器和摄像头在内的ADAS系统的SoC和微控制器也日益复杂（为提高处理能力而提高电流、为省电而降低电压），这就要求向它们供电的电源IC，要在负载电流波动的严苛条件下，也能更稳定地运行。

为了满足对这些电源IC的特性要求，ROHM在低电压输出确立了超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，针对稳定工作确立了高速负载响应技术“QuiCur™”。此次，通过首次将QuiCur™技术融入ROHM新产品中，在同等性能的车载二次侧DC-DC转换器IC中，实现了业界先进的超稳定运行。

新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件——该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车（EVs）逆变器应用.

与当前一代AE4产品相比，用于IGBT的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于 EV开发人员节省电池电量并增加行驶里程。

这款IGBT最大限度地减少IGBT间的参数变化，并在IGBT并联运行时带来稳定性，从而显著改善模块的性能与安全性。这些特性为工程师提供了更大灵活性，帮助其设计出能够获得高性能的小型逆变器。

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