2nm芯片研发中心，该设施将由计划今年首次亮相的日本新芯片研究机构建立。

5.5万片28/22至16/12nm逻辑芯片的代工厂,尺寸正以每代缩小70%的规律发展。在图4中，日本未能超越45nm，并且之后还将推进到32nm、22nm、16/14nm、10nm、7nm、5nm、3nm和2nm。

以日本勉强可以生产的45nm来看，2nm是领先九代的微型化水平。

把芯片微型化推进一代，必然会发现问题，并必须通过各种反复试验来解决这些问题。晶体管形状在28/22nm之前是平面的，从16nm开始的FinFET和从2nm开始的Gate-All-Around（GAA）的变化，如果不采用新的结构，就无法达到预期的性能。而且，除了晶体管之外，还有许多其他因微型化而被发现的问题。

如果再做一个升压电路或者其他方式得到一个33V电压那是不是成本会升高，这不是我们追求的，所以需要另想办法来解决这个问题,N管的阈值电压是3V那也就是说Vgs压差到达3V就可以，注意的这里说的是压差，不是对地压降。

MOS管持续稳定导通，需要满足Vgs≥3V，所以需要以S端为地，踩在S端需要G端电压根据S端电压变化而变化，一个小船携带12V的电压漂浮在海平面上与海平面形成12V压差。

卡入式端子的新型EDLC超级电容（双电层电容）。WCAP-SISC系列有100F和350F两种容量，是有高功率和高能量需求，例如UPS和储能产品的完美解决方案。它们可用于智能计量仪器、网络设备和能量收集等，额定电流高达75A。

远高于传统电容的能量密度使得双电层超级电容WCAP-SISC成为电池的环保替代品。与锂离子电池相比，采用活性炭技术的超级电容具有众多优势，例如充电速度快、可循环充放电500,000 次的极长命以及火灾风险更低。

WCAP-SISC电容容差为‑10/+30%，额定电压为2.7V，工作温度-40°C至+65°C 。