新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元(MLC)NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8GB的microSD产品，全部采用先进的41nm制造工艺。

对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商，这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案；对于消费者，新产品将提供更大的存储空间，他们可以在设备上保存相片、视频和音乐，使用流行的多媒体应用程序。

MLC(多级单元),SLC(单级单元)技术的NAND闪存、以及Managed NAND闪存和NAND存储卡，壮大了存储子系统解决方案，包括多片封装、软件和固件单元。

检测三极管的基极电压应为1.56V,检测三极管的集电极电压应为6V。

如果所测电压值偏低,则可能为三极管不良或者三极管放大倍数太低,应更换三极管。

如果输入信号是直流电压叠加交流信号成分,则当所加电压高于1V时,输出端为12V,当输入端低于1v而又高于0.6V时,三极臂处于放大状态,不会完全饱和至导通状态,则输出端籀出电压会低于12V,输出波形呈阶梯状,，输入为脉冲电压(大于1V),输出也为脉冲电压。

Si5315为业界最低抖动的同步以太网时钟芯片,其相位抖动低于0.6ps rms,可满足ITU-T G.8262对于抖动率的特定需求,并为超高速以太网(Gigabit Ethernet, GbE)和10GbE PHY的抖动需求提供足够的余裕。

三极管光控照明电路,当环境光变暗的时候,电路自动启动,点亮发光二极管,控制元件采用光敏电阻(cds),型号为MKY-54C48L,发光二极管采用白色LED(NSPW500CS) 。

三极管光控照明电路,光敏电阻接在V1的基极电路中,与R1(220kΩ)构成分压电路,为V1提供基极电压。当光线较暗时,Vl基极电压(A点)大于(ue+uc),Vl导通,V2也导通。

V2集电极牡出中6V电压,发光二极管LED得电发光。R4(100Ω)为限流电阻。当环境光变亮时,光敏电阻的阻值变小,V1的基极电压降低,V1截止,V2也截止,LED熄灭,三极管光控照明电路的元器件连接关系及检测方法.