开关频率650V/300mhom MOSFET在EMI实测结果符合标准
发布时间:2022/2/8 21:07:27 访问次数:198
650V/300mhom应用于QR Flyacak 65W USB PD快充方案,功率密度可达到1.98W/cm3。
在成本方面,650V/300mohm SiCMOSFET在工艺上进行了彻底地优化,售价几乎与120mohm~140mhom硅MOSFET相比拟。
碳化硅MOSFET除了效率, 成本及可靠性性能有优势之外。由于碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,极小的开关损耗大幅降低了系统损耗, 但所带来的EMI影响最受设计者的挑战, 派恩杰650V/300mhom MOSFET在EMI实测结果下完全符合标准。
可同步开关频率
低压差工作:100% 占空比
电源良好输出电压监视器
过热保护
采用 16 引线耐热增强型 TSSOP 封装
过热保护
-55°C至 125°C工作结温范围
医疗电子产品制造商希望能够显著提升最新设备的设计速度,以充分满足医疗供应商对能够在电池供电型便携式设计中实现高级特性的尖端产品不断增长的需求。
这三款医疗开发套件 (MDK) 均采用 TI S320VC5505 数字信号处理器 (DSP),通过购买模拟前端 (AFE) 模块与 S320VC5505 DSP 评估板 (EVM) 即可构建而成,从而能够帮助制造商对业界先进心电图 (ECG)、数字听诊器以及脉动血氧计等产品的设计实现跨越式起步。
目前它的概念可能不单是一个域控制器,也可能是几个混合而成一个,通过网络链接减少复杂性。
(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)
650V/300mhom应用于QR Flyacak 65W USB PD快充方案,功率密度可达到1.98W/cm3。
在成本方面,650V/300mohm SiCMOSFET在工艺上进行了彻底地优化,售价几乎与120mohm~140mhom硅MOSFET相比拟。
碳化硅MOSFET除了效率, 成本及可靠性性能有优势之外。由于碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,极小的开关损耗大幅降低了系统损耗, 但所带来的EMI影响最受设计者的挑战, 派恩杰650V/300mhom MOSFET在EMI实测结果下完全符合标准。
可同步开关频率
低压差工作:100% 占空比
电源良好输出电压监视器
过热保护
采用 16 引线耐热增强型 TSSOP 封装
过热保护
-55°C至 125°C工作结温范围
医疗电子产品制造商希望能够显著提升最新设备的设计速度,以充分满足医疗供应商对能够在电池供电型便携式设计中实现高级特性的尖端产品不断增长的需求。
这三款医疗开发套件 (MDK) 均采用 TI S320VC5505 数字信号处理器 (DSP),通过购买模拟前端 (AFE) 模块与 S320VC5505 DSP 评估板 (EVM) 即可构建而成,从而能够帮助制造商对业界先进心电图 (ECG)、数字听诊器以及脉动血氧计等产品的设计实现跨越式起步。
目前它的概念可能不单是一个域控制器,也可能是几个混合而成一个,通过网络链接减少复杂性。
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