控制环路要COMP1引脚上电容器进行补偿及小型电动机控制
发布时间:2022/1/8 22:32:23 访问次数:694
CTLS5064-M532以及CTLS5064R-M532可控硅整流器，为TLM532表面贴装，单个400-V 0.8-A器件，是专门为具有高度限制的产品而设计的。TLM532 DFN封装的尺寸为2.1 x 3.1 x 1.0 mm。
这些SCR的主要特点包括，0.8–V栅极阈值电压，200A栅极阈值电流，通态开关速度2.8s。这些器件适合用于快速开关，高电压体积小的产品，包括，数码相机闪光灯，GFI保护，探测器和传感器，灯驱动器，以及小型电动机控制。
新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL (More Battery Life) SRAM 是市场上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延长高端销售点终端、游戏应用、VoIP 电话、手持消费和医疗设备等应用的电池工作时间。
新推出的 3 兆比特和6兆比特快速异步 SRAM 与 24 位宽的处理器相连接，能充分满足音频处理、无线和网络等应用的需求。
高密度存储器模块，它是基于该公司的2Gb 50nm的DDR3. 三星公司此次推出18种基于DDR3的高密度高性能模块,主要用于服务器.这些产品包括16GBRIMM模块和一个8GB RDIMM模块。去年九月，韩国三星公司还推出了用于PC的50纳米级 2Gb DDR3。
16GB高密度模块为1066 Mb/每秒(Mbps)，在双插槽CPU服务器系统里，其全部存储密度可达192GB。三星公司也是第一个推出可在1.35 V电压下运行的16GB RDIMM的公司，该器件比1.5V DDR3解决方案，可以节省20%的电耗。
(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
CTLS5064-M532以及CTLS5064R-M532可控硅整流器，为TLM532表面贴装，单个400-V 0.8-A器件，是专门为具有高度限制的产品而设计的。TLM532 DFN封装的尺寸为2.1 x 3.1 x 1.0 mm。
这些SCR的主要特点包括，0.8–V栅极阈值电压，200A栅极阈值电流，通态开关速度2.8s。这些器件适合用于快速开关，高电压体积小的产品，包括，数码相机闪光灯，GFI保护，探测器和传感器，灯驱动器，以及小型电动机控制。
新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL (More Battery Life) SRAM 是市场上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延长高端销售点终端、游戏应用、VoIP 电话、手持消费和医疗设备等应用的电池工作时间。
新推出的 3 兆比特和6兆比特快速异步 SRAM 与 24 位宽的处理器相连接，能充分满足音频处理、无线和网络等应用的需求。
高密度存储器模块，它是基于该公司的2Gb 50nm的DDR3. 三星公司此次推出18种基于DDR3的高密度高性能模块,主要用于服务器.这些产品包括16GBRIMM模块和一个8GB RDIMM模块。去年九月，韩国三星公司还推出了用于PC的50纳米级 2Gb DDR3。
16GB高密度模块为1066 Mb/每秒(Mbps)，在双插槽CPU服务器系统里，其全部存储密度可达192GB。三星公司也是第一个推出可在1.35 V电压下运行的16GB RDIMM的公司，该器件比1.5V DDR3解决方案，可以节省20%的电耗。
(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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