SD42524采用了PWM调光和内部稳压技术。PWM调光的精度高,与模拟调光相比,不会出现LED颜色偏移的现象,可以满足在100Hz～2kHz范围内从0～100％的调光要求。

芯片内部集成LDO,产生VDD电压,可以作为调光用MCU的电源,使客户在系统开发过程中更加便利。

由于芯片采用士兰微电子先进的BCD工艺，并且内部使用了高精度的修调技术，芯片的输出电流一致性好，不同批次的芯片输出电流差异可以控制在±2%之内。

由于芯片的高效率，加上采用了SOP-8的封装形式，管芯发热小，散热性能优良。

MCP6S91和MCP6S92产品采用8-PDIP,SOIC和MSOP封装,MCP6S93产品采用MSOP封装。

新器件可提供1通道和2通道输入，有8个增益等级，能在较低的工作电流下实现1MHz至18 MHz的增益带宽，降低了电源要求。新器件的工作电压为2.5伏至5.5伏，工作温度从-40oC到+125oC。

此外，新器件可以保持较低的噪音（10 nV/rtHz），以及较低的偏移电压（150uV），总谐波失真加上噪声（THD+N）仅为0.0011％，设定时间为200ns，能够稳定运行于1、2、4、5、8、10、16和32V/V的增益系统。

其自主研发的车规级SiC芯片设计及工艺技术主要体现在两个方面：

精细化元胞设计与工艺技术——多重自对准工艺设计，实现了精细元胞设计，较好地折衷了元胞区域氧化层电场和导通电阻之间的矛盾，得到了极低的比导通电阻；

高可靠高性能栅氧化技术——先进的栅氧化与退火技术，突破高可靠低界面缺陷SiC氧化技术，实现了高沟道迁移率，获得了极低的比导通电阻。

MCP6S9X系列器件通过SPI总线实现编程，帮助用户加强对增益和输入通道选择的控制，实现在其它状态下难以达到的设计灵活性。

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