当 FB 低于叠加的 COMP 时，HS-FET 导通一段固定的时间。当 HS-FET 关断时，LS-FET 导通，直到电感电流达到零。在脉冲跳跃模式操作中，当电感电流接近零时，FB 不会达到叠加的 COMP。当电感电流达到零时，LS-FET 驱动器变为三态(高阻抗)。

电流调制器接管 LS-FET 的控制并将电感器电流限制在 -1mA 以下。因此，输出电容器通过 LS-FET 缓慢放电至 PGND。在轻载条件下，HS-FET 在脉冲跳跃模式下不会像在强制CCM下那样频繁地开启。因此,与强制CCM 操作相比，脉冲跳跃模式的效率大大提高。

使用D类放大技术将能效提高到90%，受益于降低的散热量，TS4999可实现尺寸更小而功率密度更大的便携产品。

高能效结合最低2.4V的电源电压，TS4999可延长电池供电产品的充电间隔。当不使用音响功能时，在10nA的省电模式下，电池耗电量可实现最小化。

TS4999达到高标准的输出功率和失真度要求，可向4Ω扬声器负载输送每声道 2.8 W的强大功率,失真度维持在1%的水准.电源电压抑制比很高，可防止电源噪声侵入音频信号。

HALT模式时，内置的周边电路保持运作的同时，中断CPU的指令执行；STOP模式时CPU及周边电路都停止工作。另外，有三套时钟，根据处理内容的不同可从32.768kHz、500kHz、4MHz中进行选择，从而使工作时的电流最小化。因此，就能实现电池的小型化，也有利于机器的小型轻巧化。

高效率的RISC型CPU采用了基于RISC构架的OKI SEMICONDUCTOR独有的nX-U8/100。

通过使用3级的流水线（pipe-line）处理*2，１个机器周期就可以执行几乎所有的命令。另外,具有可以快速存取存储器的位操作指令和乘除指令，能同时实现低功耗和高性能。

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