24nm工艺节点4Gb SPI NAND Flash产品GD5F4GM5系列
发布时间:2022/1/14 23:31:02 访问次数:629
MAX5098A是双路输出、高开关频率DC-DC转换器，集成高边或低边n沟道开关。
MAX5098A也集成了抛负载保护电路，可承受汽车应用中高达80V的瞬态电压。抛负载保护电路采用内部电荷泵驱动外部n沟道MOSFET栅极。当出现过压或抛负载时，串联保护MOSFET可吸收高压瞬变以防止损坏低压器件。
其它特性包括内部数字软启动、每个DC-DC稳压器独立使能(EN1及EN2)、开漏电源就绪输出(PGOOD1及PGOOD2)及关断输入(ON/OFF)。
霍克斯湾600VDC至48VDC 6000W MPPT太阳能充电控制器、功能强大的巴塞罗那双MPPT充电控制器、MMB17先进的基于电池的充电器/逆变器以及120/240V Rosie逆变器/充电器，都得益于ROHM的SiC技术的高性能和成熟的可靠性。
与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
另外在DRAM内存芯片布局方面，2021年6月兆易创新宣布首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列量产，该产品实现了从设计、流片，到封测、验证的全国产化，标志着兆易创新成功将业务触角拓展到了DRAM主流存储市场。
(素材来源：转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢）
MAX5098A是双路输出、高开关频率DC-DC转换器，集成高边或低边n沟道开关。
MAX5098A也集成了抛负载保护电路，可承受汽车应用中高达80V的瞬态电压。抛负载保护电路采用内部电荷泵驱动外部n沟道MOSFET栅极。当出现过压或抛负载时，串联保护MOSFET可吸收高压瞬变以防止损坏低压器件。
其它特性包括内部数字软启动、每个DC-DC稳压器独立使能(EN1及EN2)、开漏电源就绪输出(PGOOD1及PGOOD2)及关断输入(ON/OFF)。
霍克斯湾600VDC至48VDC 6000W MPPT太阳能充电控制器、功能强大的巴塞罗那双MPPT充电控制器、MMB17先进的基于电池的充电器/逆变器以及120/240V Rosie逆变器/充电器，都得益于ROHM的SiC技术的高性能和成熟的可靠性。
与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
另外在DRAM内存芯片布局方面，2021年6月兆易创新宣布首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列量产，该产品实现了从设计、流片，到封测、验证的全国产化，标志着兆易创新成功将业务触角拓展到了DRAM主流存储市场。
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