定频方式定电流控制也比磁滞控制不随输入电压增加25%
发布时间:2021/12/28 18:20:17 访问次数:675
肖特基二极管在 6 A 和 20 A、+125度时最大典型正向压降低于 0.54 V（对于 45 V 器件），在 10 A 和 20 A 时最大典型正向压降低于 0.65 V（对于 100 V 器件）。
45V二极管在+125度时反向漏电流为3mA和7mA，而100V二极管为4mA，且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的VF与IR权衡，可实现更高的系统效率。
45V和100V器件分别具有57V和118V的典型稳定高击穿电压，可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度均增加了25%。
RAA78815x产品家族的关键特性
±5000V的EFT抗扰度
±16000V的ESD抗扰度
在Rd=54Ω负载中，具有3.1V电压（典型值）
低至125μA的总线泄露电流、550μA的电源泄露电流，和70nA的关断电流
超小型3mm x 5mm MSOP及6mm x 8.6mm SOIC封装
LED照明应用驱动IC-RT84XX系列，有别于市面上多采用磁滞控制的降压型LED驱动器IC，立锜全系列产品采用定频定电流控制，使电感值的减少维持为磁滞控制的三分之一，而定频方式定电流控制也比磁滞控制不随输入电压及电流的变化导致LED预定电流的精确度变差。
立锜针对不同的LED照明应用提出不同的降压、升压及升降压的LED解决方案。
得益于PXI/PXIe平台模块化和可扩展的特点，我们的新款41-752A和43-752A系列模块可以和我们的其他PXI开关和仿真模块一起使用，包括高压开关、故障注入、热电偶仿真和热电阻(RTD)仿真等。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
肖特基二极管在 6 A 和 20 A、+125度时最大典型正向压降低于 0.54 V（对于 45 V 器件），在 10 A 和 20 A 时最大典型正向压降低于 0.65 V（对于 100 V 器件）。
45V二极管在+125度时反向漏电流为3mA和7mA，而100V二极管为4mA，且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的VF与IR权衡，可实现更高的系统效率。
45V和100V器件分别具有57V和118V的典型稳定高击穿电压，可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度均增加了25%。
RAA78815x产品家族的关键特性
±5000V的EFT抗扰度
±16000V的ESD抗扰度
在Rd=54Ω负载中，具有3.1V电压（典型值）
低至125μA的总线泄露电流、550μA的电源泄露电流，和70nA的关断电流
超小型3mm x 5mm MSOP及6mm x 8.6mm SOIC封装
LED照明应用驱动IC-RT84XX系列，有别于市面上多采用磁滞控制的降压型LED驱动器IC，立锜全系列产品采用定频定电流控制，使电感值的减少维持为磁滞控制的三分之一，而定频方式定电流控制也比磁滞控制不随输入电压及电流的变化导致LED预定电流的精确度变差。
立锜针对不同的LED照明应用提出不同的降压、升压及升降压的LED解决方案。
得益于I/Ie平台模块化和可扩展的特点，我们的新款41-752A和43-752A系列模块可以和我们的其他I开关和仿真模块一起使用，包括高压开关、故障注入、热电偶仿真和热电阻(RTD)仿真等。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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