控制IC的相同功率模块并联SM-ChiP模块中实现抗干扰功能
发布时间:2021/11/22 13:09:14 访问次数:118
西门子的mPower解决方案帮助我们做到了以前难以实现的工作，在其助力下，我们现在可以在大型模拟电路的流片过程中，充满信心地评估EM/IR。
除了出色的模拟功能之外，西门子全新的数字化 mPower 可扩展式 EM/IR 引擎还可为所有数字 IC 设计进行分析。
这种数字化解决方案可以轻松地集成到现有各种设计流程之中，提供世界一流的电源分析功能，每台机器仅需消耗很低的存储容量即可实现，即便对于最大规模的数字设计也依然适用。
SiC MOS由于具有更小的开关损耗，这可使客户可以直接将装置通过散热片安装在PCB上，无需风冷散热，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。
与使用硅器件相比，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。
从电源到负载点的完整解决方案由四个 SM-ChiP 组成：一个 BCM3423（标称 100V、300 瓦 K = 1/3 的母线转换器，采用 34 x 23 毫米封装）、一个 PRM2919（33V 标称 200W 稳压器.
采用 29 x 19 毫米封装）和两个 VTM2919 电流倍增器（一个 K = 1/32、电流为 150A 时，输出电压为 0.8V；一个 K = 1/8，电流为 25A 时，输出电压为 3.4V）。
(素材来源：eepw.如涉版权请联系删除。特别感谢）
西门子的mPower解决方案帮助我们做到了以前难以实现的工作，在其助力下，我们现在可以在大型模拟电路的流片过程中，充满信心地评估EM/IR。
除了出色的模拟功能之外，西门子全新的数字化 mPower 可扩展式 EM/IR 引擎还可为所有数字 IC 设计进行分析。
这种数字化解决方案可以轻松地集成到现有各种设计流程之中，提供世界一流的电源分析功能，每台机器仅需消耗很低的存储容量即可实现，即便对于最大规模的数字设计也依然适用。
SiC MOS由于具有更小的开关损耗，这可使客户可以直接将装置通过散热片安装在PCB上，无需风冷散热，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。
与使用硅器件相比，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。
从电源到负载点的完整解决方案由四个 SM-ChiP 组成：一个 BCM3423（标称 100V、300 瓦 K = 1/3 的母线转换器，采用 34 x 23 毫米封装）、一个 PRM2919（33V 标称 200W 稳压器.
采用 29 x 19 毫米封装）和两个 VTM2919 电流倍增器（一个 K = 1/32、电流为 150A 时，输出电压为 0.8V；一个 K = 1/8，电流为 25A 时，输出电压为 3.4V）。
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