功率控制电路主要由水泥电阻R30、R32 和R33、N-MOS 管（IRF3205）、采样电阻（康铜丝0.1R）、偏置电阻R34、RB1 及电容CG1、CG2、C26、C27、C29 等构成。

根据本设计要求，N-MOS 管选择IRF3205，它具备极低导通阻抗，RDS(on)Max = 8.0 mΩ，持续漏极电流高达110 A（TC=25 ℃），漏极功率消耗PD 高达200 W（TC=25 ℃）。

肖特基二极管D2（SK54）起到保护N-MOS 管的作用；由于本设计要求恒压高达20 V，水泥电阻R32 和R33 采用串联，以起到限流的作用。

国民技术N32G系列通用MCU开发套件，提供从软件到硬件开发全套全面支持能力，包括低功率（100 W）、中功率（300 W）、高功率（1000 W）等各类评估板及开发套件，同时具备开放实验室进行客户研发过程的支撑。

在电机行业应用及关键技术能力方面，可提供先进的自研成熟电机控制算法库，支持包括MRAS、SMO在内的多种无感观测算法、高频注入算法、无感启动算法、实现从零速到超高速范围的全闭环控制，支持完全独立的单电机、双电机、四个电机的协同控制，且融合了自研电机参数自识别算法等多种具有行业应用竞争力的算法支撑能力。

单片机就相当于一个微型的计算机系统集成在一个芯片上，就是我们所说的集成芯片，凡是电子器件很少不用到单片机的。大部分的单片机在电子器件内部都是主控芯片，比如我们的手机拍照,图像的处理,存储,还有红绿灯的指令,电机的转速核心都是单片机。

单片机选择了12MHZ晶振，它的时钟周期是1／12us，它的一个机器周期是12×(1/12)us，也就是1us。不过一般普通的晶振精度就能达到百万分之五十。

(素材来源：eepw.如涉版权请联系删除。特别感谢）