芯片上整合逻辑电路和高压电路高达100WDRP应用项目的开发
发布时间:2021/11/18 23:38:50 访问次数:280
TCPP03-M20 采用意法半导体的BCD制造工艺。这项工艺最近通过了IEEE Milestone认证，能够在同一颗芯片上整合逻辑电路和高压电路，提高集成度和可靠性，可在同一芯片上实现 ±8kV ESD 保护(IEC61000-4-2 Level 4)、过压和过流保护。
这些保护功能是防护意外短路事故或连接故障设备，符合 USB-C Power Delivery技术规范，必不可少的功能。
TCPP03-M20现已投产，采用 4mm x 4mm VFQFPN20 封装。
功率半导体器件有电力电子的“CPU”之称。本质上，它是利用半导体的单向导电性能，在电力电子设备中实现变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等电能转换，达到对电能(功率) 的传输、处理、存储和控制。
在此背景下，功率半导体器件所发挥的作用也就越来越巨大，特别是今年年初以来，我国大力推动新基建，这为功率半导体器件产业的发展又添了一把火。
新基建本质上是信息数字化的基础设施建设,这些设施都绕不开电力和电子设备的应用。
STM32 Nucleo扩展板X-NUCLEO-DRP1M1和X-CUBE-TCPP STM32Cube扩展软件以及应用代码示例现已上市，有助于加快基于TCPP03-M20 的高达100WDRP 应用项目的开发。
开发者还可以利用STM32CubeMX的UCPD 配置支持、STM32G071B-DISCO USB-C 嗅探器和STM32CubeMonitor-UCPD 调试工具。
Power Sink受电开发板X-NUCLEO-SNK1M1板现已上市，而Power Source送电开发板 X-NUCLEO-SRC1M1计划于 2021 年第四季度发布。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
TCPP03-M20 采用意法半导体的BCD制造工艺。这项工艺最近通过了IEEE Milestone认证，能够在同一颗芯片上整合逻辑电路和高压电路，提高集成度和可靠性，可在同一芯片上实现 ±8kV ESD 保护(IEC61000-4-2 Level 4)、过压和过流保护。
这些保护功能是防护意外短路事故或连接故障设备，符合 USB-C Power Delivery技术规范，必不可少的功能。
TCPP03-M20现已投产，采用 4mm x 4mm VFQFPN20 封装。
功率半导体器件有电力电子的“CPU”之称。本质上，它是利用半导体的单向导电性能，在电力电子设备中实现变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等电能转换，达到对电能(功率) 的传输、处理、存储和控制。
在此背景下，功率半导体器件所发挥的作用也就越来越巨大，特别是今年年初以来，我国大力推动新基建，这为功率半导体器件产业的发展又添了一把火。
新基建本质上是信息数字化的基础设施建设,这些设施都绕不开电力和电子设备的应用。
STM32 Nucleo扩展板X-NUCLEO-DRP1M1和X-CUBE-TCPP STM32Cube扩展软件以及应用代码示例现已上市，有助于加快基于TCPP03-M20 的高达100WDRP 应用项目的开发。
开发者还可以利用STM32CubeMX的UCPD 配置支持、STM32G071B-DISCO USB-C 嗅探器和STM32CubeMonitor-UCPD 调试工具。
Power Sink受电开发板X-NUCLEO-SNK1M1板现已上市，而Power Source送电开发板 X-NUCLEO-SRC1M1计划于 2021 年第四季度发布。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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