SRAM逻辑架构的快速配置比传统浅槽绝缘(SGI)方法更高密度
发布时间:2021/11/13 13:19:01 访问次数:323
Nexus™ FPGA平台,采用低功耗28nm FD-SOI技术,组合了极为灵活的FPGA和低功耗以及FD-SOI技术的高可靠性(由于极低的SER),提供小占位尺寸封装和每平方毫米大数量I/O.
Certus-NX FPGA支持基于可配置SRAM逻辑架构的快速配置,它的可编程sysI/O™超快配置(小于3ms).除了FD-SOI技术固有的高可靠性,它的主动可靠性特性包括内置的基于祯的SED/SEC(基于SRAM的逻辑架构)以及还支持ECC(对于EBR和LRAM).
双12位ADC,用于系统监测功能.支持高达3.3V VCCIO,支持混合电压(1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V).
制造商:Texas Instruments 产品种类:低压差稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-6 输出电压:3.3 V 输出电流:1 A 输出端数量:1 Output 极性:Positive 静态电流:265 uA 最大输入电压:5.5 V 最小输入电压:2.7 V 输出类型:Fixed 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 回动电压:220 mV 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Texas Instruments 回动电压—最大值:325 mV at 1 A 高度:1.6 mm Ib - 输入偏流:265 uA 长度:6.5 mm 线路调整率:0.05 % / V 负载调节:5 mV 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:260 uA 工作温度范围:- 4 产品类型:LDO Voltage Regulators 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 电压调节准确度:2 % 宽度:3.5 mm 单位重量:120 mg
为了节省板的空间，存储器采用小型48引脚TSOP 1型封装，和日立前面的产品512M位闪存产品一样。1G位器件在引脚排列和指令是和NAND型接口兼容的，只要稍为修改一下软件就能代替。
AG-AND闪存单元采用新颖的辅助栅区绝缘方法，以得到比传统浅槽绝缘(SGI)方法的更高的密度。这使得1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。
闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程，以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率，进行低电流快速并行写入。
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Nexus™ FPGA平台,采用低功耗28nm FD-SOI技术,组合了极为灵活的FPGA和低功耗以及FD-SOI技术的高可靠性(由于极低的SER),提供小占位尺寸封装和每平方毫米大数量I/O.
Certus-NX FPGA支持基于可配置SRAM逻辑架构的快速配置,它的可编程sysI/O™超快配置(小于3ms).除了FD-SOI技术固有的高可靠性,它的主动可靠性特性包括内置的基于祯的SED/SEC(基于SRAM的逻辑架构)以及还支持ECC(对于EBR和LRAM).
双12位ADC,用于系统监测功能.支持高达3.3V VCCIO,支持混合电压(1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V).
制造商:Texas Instruments 产品种类:低压差稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-6 输出电压:3.3 V 输出电流:1 A 输出端数量:1 Output 极性:Positive 静态电流:265 uA 最大输入电压:5.5 V 最小输入电压:2.7 V 输出类型:Fixed 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 回动电压:220 mV 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Texas Instruments 回动电压—最大值:325 mV at 1 A 高度:1.6 mm Ib - 输入偏流:265 uA 长度:6.5 mm 线路调整率:0.05 % / V 负载调节:5 mV 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:260 uA 工作温度范围:- 4 产品类型:LDO Voltage Regulators 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 电压调节准确度:2 % 宽度:3.5 mm 单位重量:120 mg
为了节省板的空间，存储器采用小型48引脚TSOP 1型封装，和日立前面的产品512M位闪存产品一样。1G位器件在引脚排列和指令是和NAND型接口兼容的，只要稍为修改一下软件就能代替。
AG-AND闪存单元采用新颖的辅助栅区绝缘方法，以得到比传统浅槽绝缘(SGI)方法的更高的密度。这使得1G位的器件比用0.18微米工艺所生产的512M位的要小。
闪存的排列可通过热电子注入的方法进行编程，以得到高的写入速度。从源区注入热电子能改善浮置栅注入效率，进行低电流快速并行写入。
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