MAX1725只消耗2μA电流。不幸的是，电源必须允许较宽的输入电压范围，以处理甩负载问题。甩负载是指当交流电机启动时在断开电池瞬间产生的高压。

RF2870的性能设计成超出CDMA手机通信的暂行标准，提供三态增益控制，以满足IS-98要求IMD的测试。器件还有TXLO缓冲放大器，LNA增益，混频器增益和关断模式的数字控制。

十八种新型N沟MOSFET，它封装在业界第一个无底封装，结合了比TO-263(D2-PAK)好得多的热性能和很低的导通电阻的优点。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: -

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: SIPMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 90 ns

正向跨导 - 最小值: 6 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 70 ns

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 250 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: BUZ30A H SP000682990 BUZ3AHXK

单位重量: 2 g

传统的光电转换技术一般采用 LED 等发光器件。这种发光器件多采用边缘发射，体积大，因此比较难以和半导体技术结合。

垂直腔表面发射激光VCSEL技术成熟后,解决发光器件和半导体技术结合的问题，因此迅速得到普及。

VCSEL是很有发展前景的新型光电器件，也是光通信中革命性的光发射器件。顾名思义，边发射激光器是沿平行于衬底表面、垂直于解理面的方向出射，而面发射激光器其出光方向垂直于衬底表面.

激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制成，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。

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