功率损耗的降低EDB可堆置到功率单元上端通过I2C来设定
发布时间:2021/11/9 20:22:21 访问次数:543
正源驱动器能提供高达120mA电流,而负源驱动器提供100mA电流.正源驱动器电源稳压(VPOS)连接FBP的外接电阻分压器或通过I2C来设定.
负源驱动器电源电压(VNEG)通常连接到-VPOS(低到-7V).源驱动器电源工作在2.8V和5.5V间的输入电压.栅极驱动器电源包括稳压电荷泵,产生+28V到-21.5V电压,每个驱动10mA或更多电流,取决于外部配置.过载和热保护,工作温度-40C到 +105C,40引脚(6mm x 6mm) TQFN封装.
AECQ100 Grade 1规范,主要用在汽车仪表盘,汽车中心信息显示器,汽车平视显示器和汽车导航系统.
制造商:Renesas Electronics产品种类:时钟缓冲器RoHS: 系列:最大输入频率:110 MHz电源电压-最大:4.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-28商标:Renesas / IDT高度:1 mm长度:9.7 mm工作电源电流:170 mA封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel产品类型:Clock Buffers工厂包装数量:2000子类别:Clock & Timer ICs商标名:类型:Zero Delay PLL Clock Buffer宽度:4.4 mm零件号别名:ICS9DB433AGILFT 9DB433单位重量:403 mg
IR还计划推出不同结构的iNTERO产品,如逆变器、桥接制动及桥接制动逆变器,它们可在600V或1200V电压下,达到15kW功率水平。
PI-IPM是iNTERO系列中集成度最高的器件,可提供多级功能,满足设计人员的需要。
各种模块均采用IR公司先进的IGBT半导体技术。与业界标准IGBT技术相比,它们可提供更低的功率损耗和牵引电流,在更高频率中体现更低损耗、更高的耐用性和更低的噪音。随着功率损耗的降低,EDB可堆置到功率单元上端。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
正源驱动器能提供高达120mA电流,而负源驱动器提供100mA电流.正源驱动器电源稳压(VPOS)连接FBP的外接电阻分压器或通过I2C来设定.
负源驱动器电源电压(VNEG)通常连接到-VPOS(低到-7V).源驱动器电源工作在2.8V和5.5V间的输入电压.栅极驱动器电源包括稳压电荷泵,产生+28V到-21.5V电压,每个驱动10mA或更多电流,取决于外部配置.过载和热保护,工作温度-40C到 +105C,40引脚(6mm x 6mm) TQFN封装.
AECQ100 Grade 1规范,主要用在汽车仪表盘,汽车中心信息显示器,汽车平视显示器和汽车导航系统.
制造商:Renesas Electronics产品种类:时钟缓冲器RoHS: 系列:最大输入频率:110 MHz电源电压-最大:4.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-28商标:Renesas / IDT高度:1 mm长度:9.7 mm工作电源电流:170 mA封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel产品类型:Clock Buffers工厂包装数量:2000子类别:Clock & Timer ICs商标名:类型:Zero Delay PLL Clock Buffer宽度:4.4 mm零件号别名:ICS9DB433AGILFT 9DB433单位重量:403 mg
IR还计划推出不同结构的iNTERO产品,如逆变器、桥接制动及桥接制动逆变器,它们可在600V或1200V电压下,达到15kW功率水平。
PI-IPM是iNTERO系列中集成度最高的器件,可提供多级功能,满足设计人员的需要。
各种模块均采用IR公司先进的IGBT半导体技术。与业界标准IGBT技术相比,它们可提供更低的功率损耗和牵引电流,在更高频率中体现更低损耗、更高的耐用性和更低的噪音。随着功率损耗的降低,EDB可堆置到功率单元上端。
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