两种BGA封装的双N沟和双P沟的20V MOSFET，其物理特性和电性能都适合用在锂离子电池盒保护应用。四种器件FDZ2551N, FDZ2553N, FDZ2552P 和FDZ2554P都封在4x2.5mm表面安装的OSFET BGA封装，其漏极是共用的。

这种双N沟和双P沟的20V MOSFET还可用在计算机/EDP，通信，手提，工业设备和无线通信产品如手机，PDA，MP3播放器和手提POS终端。

和其它有引线封装相比,它的体积比TSOP-6封装减少21%,导通电阻降低79%(28毫欧姆对135毫欧姆)。

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 26 A

Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V

Qg-栅极电荷: 41 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench SyncFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 168 S

高度: 1.1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

系列: FDMS0306AS

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 32 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 5 mm

单位重量: 68.100 mg

高输入电压会直接引发下一个问题，线性稳压器不仅能承受特定的高压，还必须在输出低电压、大电流的情况下能够耗散大量的功率。

任何封装功率耗散能力都会在温度升高时下降，因此，在较高温度下耗散如此大的功率势必存在问题。这种情况下，普通的SO-8封装芯片会迅速进入热关断状态，稳压器可能不被损坏，冷却后还会再次恢复，但不满足实际需求的要求。

因为我们需要功能电路一直处于激活状态，车载线性稳压器需要先进的封装提高功率耗散能力。

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