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D1和D2串联于主电路芯片可以降低电话中途断线次数

发布时间:2021/11/15 19:10:07 访问次数:109

WEBENCH(TM) - EasyPLL互动模拟工具已将LMX2346及LMX2347两款芯片包括在内,设计工程师可以利用这个WEBENCH 设计网页上的工具设计及模拟锁相环路及环路滤波器电路。

无论在管脚还是软件方面,这两款型号分别为LMX2346 及 LMX2347 的新一代固定射频锁相环路,都可与目前的LMX2323 锁相环路兼容,使采用这两款芯片的客户可以轻易将系统升级。

LMX2346及LMX2347 两款芯片的相位噪音极低,有助提高射频系统的灵敏度,因此这两款芯片可以降低电话中途断线次数,扩大基站的通信范围,提高通话的清晰度。

制造商Infineon Technologies 系列 包装卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态在售 FET 类型N 通道 技术MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss)40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.2 毫欧 @ 90A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 53μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)66.8 nC @ 10 V Vgs(最大值)±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5260 pF @ 25 V FET 功能- 功率耗散(最大值)94W(Tc) 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型表面贴装型 供应商器件封装PG-TO252-3-313 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

在实际运行中,宏观上二极管由于自身差异导致压降不同。

当外界电压U加大到D2上的压降到达临界点时,由于D1反向饱和电流大导致其压降相对较小,当D2达到临界压降时,D1仍然处于安全稳定区域。

U再次加大,按照上述分析,D2上压降将突破临界转折电压,二极管击穿造成电流急剧增加,但是D1和D2是串联于主电路中,D1电流必然随着D2增加,但是从Dl的伏安曲线得知,D1通过大电流时其反向压降应该达到转折电压,故u1和u2之和大于U,推测不成立。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

WEBENCH(TM) - EasyPLL互动模拟工具已将LMX2346及LMX2347两款芯片包括在内,设计工程师可以利用这个WEBENCH 设计网页上的工具设计及模拟锁相环路及环路滤波器电路。

无论在管脚还是软件方面,这两款型号分别为LMX2346 及 LMX2347 的新一代固定射频锁相环路,都可与目前的LMX2323 锁相环路兼容,使采用这两款芯片的客户可以轻易将系统升级。

LMX2346及LMX2347 两款芯片的相位噪音极低,有助提高射频系统的灵敏度,因此这两款芯片可以降低电话中途断线次数,扩大基站的通信范围,提高通话的清晰度。

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在实际运行中,宏观上二极管由于自身差异导致压降不同。

当外界电压U加大到D2上的压降到达临界点时,由于D1反向饱和电流大导致其压降相对较小,当D2达到临界压降时,D1仍然处于安全稳定区域。

U再次加大,按照上述分析,D2上压降将突破临界转折电压,二极管击穿造成电流急剧增加,但是D1和D2是串联于主电路中,D1电流必然随着D2增加,但是从Dl的伏安曲线得知,D1通过大电流时其反向压降应该达到转折电压,故u1和u2之和大于U,推测不成立。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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