正极模式超级扭曲向列(STN)液体能提供大视角及AC/DC转换器
发布时间:2021/11/8 13:29:09 访问次数:154
DV3002的尺寸为69.5X20.05mm，高度为2.85mm,有效显示面积为61X15.1mm，给设计者在小封装中提供大的显示面积。
它的正极模式超级扭曲向列(STN)液体能提供大的视角和改善在阳光下的可读性。
内置LCD控制器有字符产生器，提供225种5x7阿拉伯数字式样和符号，以减少编程工作量.其它的控制功能包括闪烁字符,显示和光标的通/断，显示和光标转移和显示屏清零。
制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:S32K1xx安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:ARM Cortex M4F程序存储器大小:512 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:112 MHz输入/输出端数量:89 I/O数据 RAM 大小:64 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Tray模拟电源电压:2.7 V to 3 V商标:NXP SemiconductorsDAC分辨率:8 bit数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROMI/O 电压:3.3 V接口类型:I2C, I2S, LIN, PWM, SPI, UART湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer产品:MCU+DSP+FPU产品类型:ARM Microcontrollers - MCU程序存储器类型:Flash工厂包装数量:450子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V看门狗计时器:Watchdog Timer零件号别名:935347634557单位重量:685.200 mg
NCP51820是高速栅极驱动器,设计满足驱动增强模式(e−mode)高迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),以及离线半桥功率拓扑的氮化镓GaN功率开关严格要求.
NCP51820提供先进的电平转移技术,具有短匹配传播延迟,高边驱动时共模电压范围−3.5 V 到 +650 V,低边驱动时共模电压范围−3.5 V到 +3.5 V.
主要用在驱动全桥或半桥,LLC,有源箝位反激或正激,图腾极PFC和同步整流器拓扑所用的氮化镓GaN功率晶体管,工业逆变器和马达驱动,以及AC/DC转换器.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
DV3002的尺寸为69.5X20.05mm，高度为2.85mm,有效显示面积为61X15.1mm，给设计者在小封装中提供大的显示面积。
它的正极模式超级扭曲向列(STN)液体能提供大的视角和改善在阳光下的可读性。
内置LCD控制器有字符产生器，提供225种5x7阿拉伯数字式样和符号，以减少编程工作量.其它的控制功能包括闪烁字符,显示和光标的通/断，显示和光标转移和显示屏清零。
制造商:NXP产品种类:ARM微控制器 - MCURoHS: 详细信息系列:S32K1xx安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-100核心:ARM Cortex M4F程序存储器大小:512 kB数据总线宽度:32 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:112 MHz输入/输出端数量:89 I/O数据 RAM 大小:64 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Tray模拟电源电压:2.7 V to 3 V商标:NXP SemiconductorsDAC分辨率:8 bit数据 Ram 类型:SRAM数据 ROM 大小:4 kB数据 Rom 类型:EEPROMI/O 电压:3.3 V接口类型:I2C, I2S, LIN, PWM, SPI, UART湿度敏感性:YesADC通道数量:16 Channel计时器/计数器数量:4 Timer产品:MCU+DSP+FPU产品类型:ARM Microcontrollers - MCU程序存储器类型:Flash工厂包装数量:450子类别:Microcontrollers - MCU电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V看门狗计时器:Watchdog Timer零件号别名:935347634557单位重量:685.200 mg
NCP51820是高速栅极驱动器,设计满足驱动增强模式(e−mode)高迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),以及离线半桥功率拓扑的氮化镓GaN功率开关严格要求.
NCP51820提供先进的电平转移技术,具有短匹配传播延迟,高边驱动时共模电压范围−3.5 V 到 +650 V,低边驱动时共模电压范围−3.5 V到 +3.5 V.
主要用在驱动全桥或半桥,LLC,有源箝位反激或正激,图腾极PFC和同步整流器拓扑所用的氮化镓GaN功率晶体管,工业逆变器和马达驱动,以及AC/DC转换器.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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