VDD偏压和VDDH和VDDL驱动偏压及基于器件结温的热关断
发布时间:2021/11/8 13:32:01 访问次数:188
DV3002不需要RAM读/写操作的外部时钟。DV3002的标准接口用14路1.0mm间距柔性电缆连接。
30V的N沟TrenchFET MOSFET 系列能使手提计算机和游戏机运行时更凉爽,使用更小功率,工作时间更长.目标在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路,同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比,这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.
Si4364DY 和Si4858DY是优化而用在低端同步整流,最大限度地降低导通损耗,增加效率,通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
制造商:NXP产品种类:8位微控制器 -MCURoHS: 详细信息系列:S08D安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-64核心:S08程序存储器大小:60 kB数据总线宽度:8 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:40 MHz数据 RAM 大小:4 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Tray商标:NXP Semiconductors湿度敏感性:Yes处理器系列:S9S08DZ60产品:MCU产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:800子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:935311532557单位重量:346.550 mg
此外器件提供稳定的dV/dt工作速率高达200 V/ns. NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监视VDD偏压和VDDH和VDDL驱动偏压以及基于器件结温的热关断.
可编死区控制能进行配置以防止交叉导通.器件集成了650V高边和低边栅极驱动器,两路TTL兼容的施密特触发器输入,源电流能力1A,沉电流能力2A.分裂的输出允许单独开/关调节.最大传输时延小于50ns,匹配传输时延小于5ns.
显示器的高速8位接口允许直接连接到多种微处理器也可用4位并行接口。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
DV3002不需要RAM读/写操作的外部时钟。DV3002的标准接口用14路1.0mm间距柔性电缆连接。
30V的N沟TrenchFET MOSFET 系列能使手提计算机和游戏机运行时更凉爽,使用更小功率,工作时间更长.目标在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路,同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比,这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.
Si4364DY 和Si4858DY是优化而用在低端同步整流,最大限度地降低导通损耗,增加效率,通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
制造商:NXP产品种类:8位微控制器 -MCURoHS: 详细信息系列:S08D安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LQFP-64核心:S08程序存储器大小:60 kB数据总线宽度:8 bitADC分辨率:12 bit最大时钟频率:40 MHz数据 RAM 大小:4 kB工作电源电压:2.7 V to 5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Tray商标:NXP Semiconductors湿度敏感性:Yes处理器系列:S9S08DZ60产品:MCU产品类型:8-bit Microcontrollers - MCU工厂包装数量:800子类别:Microcontrollers - MCU零件号别名:935311532557单位重量:346.550 mg
此外器件提供稳定的dV/dt工作速率高达200 V/ns. NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监视VDD偏压和VDDH和VDDL驱动偏压以及基于器件结温的热关断.
可编死区控制能进行配置以防止交叉导通.器件集成了650V高边和低边栅极驱动器,两路TTL兼容的施密特触发器输入,源电流能力1A,沉电流能力2A.分裂的输出允许单独开/关调节.最大传输时延小于50ns,匹配传输时延小于5ns.
显示器的高速8位接口允许直接连接到多种微处理器也可用4位并行接口。
(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)