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高密度器件能使存储子系统的高水平功能满足快速产品

发布时间:2021/10/5 20:04:41 访问次数:137

全新汽车高清链路(AHL)技术——新款RAA279971 AHL编码芯片以及RAA279972解码芯片,使汽车制造商能够通过目前支持标清视频的低成本线缆和连接器传输高清视频。

高清视频在汽车安全系统的物体识别功能中愈加关键。作为高级驾驶辅助系统(ADAS)市场的佼佼者,瑞萨全新AHL可与其R-CarSoC、RH850 MCU、车载PMIC和模拟器件等其它产品搭配,在几乎任何车辆中经济有效地实现众多安全功能。

8Gb NAND闪存采用两片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆栈在标准的48引脚TSOP封装(12x20mm).

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 34 A

Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 29 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 27 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1

单位重量: 4 g

8Gb NAND闪存器件K9W8G08U1M.它的结构为1Gbx8,工作电压2.7-3.6V.

数据页的数据读取速度为50ns/字节.片内的写控制器能自动所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,内部确认和数据富余度.

这种高密度器件能使存储子系统的高水平功能满足快速产品如数码相机,USB闪存驱动器,PDA和MP3播放器对存储器的快速增长的要求.

NAND闪存特别适合用在高密度更低成本的数据存储解决方案如移动设备中.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

全新汽车高清链路(AHL)技术——新款RAA279971 AHL编码芯片以及RAA279972解码芯片,使汽车制造商能够通过目前支持标清视频的低成本线缆和连接器传输高清视频。

高清视频在汽车安全系统的物体识别功能中愈加关键。作为高级驾驶辅助系统(ADAS)市场的佼佼者,瑞萨全新AHL可与其R-CarSoC、RH850 MCU、车载PMIC和模拟器件等其它产品搭配,在几乎任何车辆中经济有效地实现众多安全功能。

8Gb NAND闪存采用两片4Gb芯片( K9K4G08U0M)堆栈在标准的48引脚TSOP封装(12x20mm).

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 34 A

Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 29 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 27 S

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 11 ns

零件号别名: SP000691172 IPB32N2N3GXT IPB320N20N3GATMA1

单位重量: 4 g

8Gb NAND闪存器件K9W8G08U1M.它的结构为1Gbx8,工作电压2.7-3.6V.

数据页的数据读取速度为50ns/字节.片内的写控制器能自动所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,内部确认和数据富余度.

这种高密度器件能使存储子系统的高水平功能满足快速产品如数码相机,USB闪存驱动器,PDA和MP3播放器对存储器的快速增长的要求.

NAND闪存特别适合用在高密度更低成本的数据存储解决方案如移动设备中.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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