低欧姆电阻的单刀双掷(SPDT)的模拟开关FSA4157
发布时间:2021/10/1 23:06:39 访问次数:365
低欧姆电阻的单刀双掷(SPDT)的模拟开关FSA4157,常开单刀单掷(SPST NO)模拟开关FSA1156和常闭单刀单掷(SPST NC)模拟开关FSA1157.
这些低导通电阻Ron器件保持了信号的完整性,降低了支持音频和信号处理应用所需的驱动能力.
Fairchild的开关的带宽高于350MHz,所以能支持低电压应用时的高速模拟和数字信号路径,提供比7500V(HBM)更好的ESD保护.
采用芯片尺寸的MicroPak封装,所有产品比传统的SC70和SOT-23封装产品要节省65%的空间.
制造商: MaxLinear
产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: SP3485
功能: Transceiver
数据速率: 10 Mb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
电源电压-最小: 3.135 V
电源电压-最大: 3.465 V
工作电源电压: 3.3 V
工作电源电流: 800 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: MaxLinear
双工: Half Duplex
ESD 保护: 2 kV
输入电压: - 7 V to 12 V
输出电流: 250 mA
输出类型: Differential
输出电压: 1.5 V to 3.3 V
Pd-功率耗散: 600 mW
产品: RS-422/RS-485 Transceivers
产品类型: RS-422/RS-485 Interface IC
传播延迟时间: 17 ns, 35 ns
支持协议: RS-422, RS-485
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 2500
子类别: Interface ICs
类型: Transceiver
单位重量: 143 mg
EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。
由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模块中，该新型AIN陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。
其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
低欧姆电阻的单刀双掷(SPDT)的模拟开关FSA4157,常开单刀单掷(SPST NO)模拟开关FSA1156和常闭单刀单掷(SPST NC)模拟开关FSA1157.
这些低导通电阻Ron器件保持了信号的完整性,降低了支持音频和信号处理应用所需的驱动能力.
Fairchild的开关的带宽高于350MHz,所以能支持低电压应用时的高速模拟和数字信号路径,提供比7500V(HBM)更好的ESD保护.
采用芯片尺寸的MicroPak封装,所有产品比传统的SC70和SOT-23封装产品要节省65%的空间.
制造商: MaxLinear
产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: SP3485
功能: Transceiver
数据速率: 10 Mb/s
激励器数量: 1 Driver
接收机数量: 1 Receiver
电源电压-最小: 3.135 V
电源电压-最大: 3.465 V
工作电源电压: 3.3 V
工作电源电流: 800 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: MaxLinear
双工: Half Duplex
ESD 保护: 2 kV
输入电压: - 7 V to 12 V
输出电流: 250 mA
输出类型: Differential
输出电压: 1.5 V to 3.3 V
Pd-功率耗散: 600 mW
产品: RS-422/RS-485 Transceivers
产品类型: RS-422/RS-485 Interface IC
传播延迟时间: 17 ns, 35 ns
支持协议: RS-422, RS-485
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 2500
子类别: Interface ICs
类型: Transceiver
单位重量: 143 mg
EasyDUAL模块FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有优良的栅极氧化层可靠性最新CoolSiC MOSFET技术。
由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模块中，该新型AIN陶瓷可帮助提高输出功率或降低结温，进而可以延长系统寿命。
其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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