全新高性能微控制器 (MCU) 产品系列，推动了边缘端的实时控制、网络互联和智能分析。凭借全新的Sitara AM2x系列MCU，工程师可以使用10倍于以前基于闪存MCU的运算能力。

高性能AM2x系列缩小了MCU和处理器之间日益增加的性能差距，使设计人员能够在工厂自动化、机器人、汽车系统和可持续能源管理等应用领域突破性能限制。

人们对工业自动化、下一代汽车、智能分析和万物互联的需求推升了边缘端微控制器的性能要求——更快速、更准确。为分布式系统提供更先进、更高效的处理能力是实现工业4.0的关键步骤之一.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 220 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-P2

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 119 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 28 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 146 ns

典型接通延迟时间: 32 ns

零件号别名: IPB18P4P4L2XT SP000709460 IPB180P04P4L02ATMA1

单位重量: 1.600 g

指令/地址/数据复接I/O端口,

硬件数据保护,在电源变化时编程/擦除锁住,

用于高性能编程的缓存编程操作,

加电时自动读操作,

采用可靠的CMOS浮置栅技术,

00K编程/擦除次数,数据保存10年,

用于复制保护的独特ID.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）