AVC转换器具有12mA的驱动电流3.5ns的快速传输时延
发布时间:2021/10/5 14:34:16 访问次数:400
当微处理器I/O电压要往更低接点转移而外设维持在较高的电压,微处理器和外设间的I/O电压不匹配是常有的事.
TI的新型双电源电平转换器允许两个有不同接口电压的器件进行通信,从而保持了信号的完整性和速度.从1.4V到3.6V的转换采用AVC技术,而1.65V到5.5V的转换采用LVC技术,能进行完全的配置.
当从1.8V到3.3V转换时,AVC转换器具有12mA的驱动电流,3.5ns的快速传输时延.当从3.3V到5V转换时,LVC转换器的驱动强度达32mA,传输时延为4ns.
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:6.4 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:35 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single系列:晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET商标:STMicroelectronics下降时间:3.7 ns产品类型:MOSFET上升时间:5.3 ns2500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:14 ns典型接通延迟时间:64 ns单位重量:330 mg
CPC1130N和CPC1131N的导通电阻最大为30欧姆,而CPC1135N则为35欧姆.它的封装为4引脚SOP,占为面积15.5平方毫米,高度仅为2mm,比同类产品要小20%.
这些产品所使用的耗尽型MOSFET使产品在常闭或1 Form B继电器配置.
其结果是,没有电源时,继电器依然是常闭的.这对于各种重要的通信线路,降功耗和故障保险电话以及安全应用是至关重要的.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
当微处理器I/O电压要往更低接点转移而外设维持在较高的电压,微处理器和外设间的I/O电压不匹配是常有的事.
TI的新型双电源电平转换器允许两个有不同接口电压的器件进行通信,从而保持了信号的完整性和速度.从1.4V到3.6V的转换采用AVC技术,而1.65V到5.5V的转换采用LVC技术,能进行完全的配置.
当从1.8V到3.3V转换时,AVC转换器具有12mA的驱动电流,3.5ns的快速传输时延.当从3.3V到5V转换时,LVC转换器的驱动强度达32mA,传输时延为4ns.
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:10 ARds On-漏源导通电阻:160 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:6.4 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:35 W通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel配置:Single系列:晶体管类型:1 P-Channel Power MOSFET商标:STMicroelectronics下降时间:3.7 ns产品类型:MOSFET上升时间:5.3 ns2500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:14 ns典型接通延迟时间:64 ns单位重量:330 mg
CPC1130N和CPC1131N的导通电阻最大为30欧姆,而CPC1135N则为35欧姆.它的封装为4引脚SOP,占为面积15.5平方毫米,高度仅为2mm,比同类产品要小20%.
这些产品所使用的耗尽型MOSFET使产品在常闭或1 Form B继电器配置.
其结果是,没有电源时,继电器依然是常闭的.这对于各种重要的通信线路,降功耗和故障保险电话以及安全应用是至关重要的.
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