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数据流量的增加推动了数据中心的持续增长并要求供应链稳定可靠

发布时间:2021/9/26 8:24:17 访问次数:474

Seagull系列的全线产品都完全符合IEEE 802.3的标准,具有稳健、可重复的性能,并与多家光连接及交换机/ASIC合作伙伴进行了互联互通验证实验。

下一代数据中心需要持续不断的创新,以满足在提高产品性能的同时降低总体购置成本及冷却要求。数据流量的增加推动了数据中心的持续增长并要求供应链稳定可靠。

Credo的全新DSP产品同时满足了以上所有的客户需求,因而非常适合应用于光收发器及AOC中。

Seagull 110 (CFD30201)和Seagull XR8 (CFD60801)均已量产,将在即将举办的第23届中国国际光电博览会(CIOE 2021)上进行展示,并可以向客户供应相关产品。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:U-DFN3030-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:6.1 A Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV Qg-栅极电荷:8.8 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 配置:Dual 下降时间:234 ns, 234 ns 产品:MOSFET Small Signal 产品类型:MOSFET 上升时间:78 ns, 78 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:2 N-Channel 典型关闭延迟时间:562 ns, 562 ns 典型接通延迟时间:53 ns, 53 ns 单位重量:65 mg

ALM2403-Q1 中的每个运算放大器都具有针对 PMOS(高侧)和 NMOS(低侧)输出晶体管的单独内部电流限制。 如果输出对地短路,则激活 PMOS(高侧)电流限制,并将电流限制在标称 500 mA。 

如果输出与电源短路,则激活 NMOS(低侧)电流限制并将电流限制为 25°C 时的 400 mA 额定电流。 限流值与温度成反比.

 因此,电流限制值在低温下会增加。当电流受到限制时,必须考虑芯片温度的安全限制。 如果功耗太大,芯片温度可能会超过热关断限制; 运算放大器关闭并在管芯低于热限制后重新激活。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Seagull系列的全线产品都完全符合IEEE 802.3的标准,具有稳健、可重复的性能,并与多家光连接及交换机/ASIC合作伙伴进行了互联互通验证实验。

下一代数据中心需要持续不断的创新,以满足在提高产品性能的同时降低总体购置成本及冷却要求。数据流量的增加推动了数据中心的持续增长并要求供应链稳定可靠。

Credo的全新DSP产品同时满足了以上所有的客户需求,因而非常适合应用于光收发器及AOC中。

Seagull 110 (CFD30201)和Seagull XR8 (CFD60801)均已量产,将在即将举办的第23届中国国际光电博览会(CIOE 2021)上进行展示,并可以向客户供应相关产品。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:U-DFN3030-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:6.1 A Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:350 mV Qg-栅极电荷:8.8 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:920 mW 通道模式:Enhancement 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Diodes Incorporated 配置:Dual 下降时间:234 ns, 234 ns 产品:MOSFET Small Signal 产品类型:MOSFET 上升时间:78 ns, 78 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 晶体管类型:2 N-Channel 典型关闭延迟时间:562 ns, 562 ns 典型接通延迟时间:53 ns, 53 ns 单位重量:65 mg

ALM2403-Q1 中的每个运算放大器都具有针对 PMOS(高侧)和 NMOS(低侧)输出晶体管的单独内部电流限制。 如果输出对地短路,则激活 PMOS(高侧)电流限制,并将电流限制在标称 500 mA。 

如果输出与电源短路,则激活 NMOS(低侧)电流限制并将电流限制为 25°C 时的 400 mA 额定电流。 限流值与温度成反比.

 因此,电流限制值在低温下会增加。当电流受到限制时,必须考虑芯片温度的安全限制。 如果功耗太大,芯片温度可能会超过热关断限制; 运算放大器关闭并在管芯低于热限制后重新激活。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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