Renesas ElectronicsRX23W模块.该模块集成了天线和振荡器,并采用6.1mm × 9.5mm紧凑封装,为物联网(IoT)终端设备的系统控制和无线通信提供全面的低功耗蓝牙5.0支持。

一款额定值为1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器，例如IH电磁炉、IH电饭煲和微波炉。

GT30N135SRA的集电极额定电流为30A[1]，是现有产品GT20N135SRA的1.5倍。这使得它的控制功率容量增加到了2400W。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 58 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

通道模式: Enhancement

商标名: StrongIRFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon / IR

配置: Single

下降时间: 65 ns

正向跨导 - 最小值: 158 S

高度: 0.83 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 91 ns

系列: N-Channel

工厂包装数量: 4000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 48 ns

典型接通延迟时间: 21 ns

宽度: 5 mm

零件号别名: IRFH8303TRPBF SP001554820

单位重量: 122.136 mg

产品规格

搭载NXP i.MX8M Plus Cortex-A53 Quad/Dual 多达1.8GHz

板载 LPDDR4 6 GB, 4000MT/s memory

支持HDMI 3840 x 2160 30Hz

Dual GbE LAN, 1 个USB2.0 和 1 个USB 3.2 Gen 1

1个Micro SD Socket & 1 个Nano SIM Slot

1个mini-PCIe 支持 3G/4G, 1个 M.2 2230 Key E Slot

支持Yocto Linux 和 Android

4种背部I/O接口聚焦垂直应用: IEM, 自助服务, 自动化、网络通信

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）