WM-BZ-ST-55双核蓝牙5.0天线封装模块。该模块为一款节能降耗的绿色产品，是远程传感器、可穿戴跟踪器、大楼自动化控制器、计算机外设设备、无人机和其它物联网设备的理想选择。

WM-BZ-ST-55双核蓝牙5.0天线封装模块尺寸为7.2 x 9.3 x 0.96毫米，整合意法半导体的STM32L4 Arm® Cortex®-M4 MCU的功能与Cortex-M0 +专用内核來管理射频芯片。

这个独立的紧凑型模块，采用部分金属溅镀屏蔽封装，内建意法半导体(STM)STM32WB55系列RF系统单芯片，支持 BLE5.0, Zigbee 和 Thread 无线连接，并集成蓝牙低功耗2.4GHz天线。

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-18

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 13 A, 28 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.6 mOhms, 3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.35 V

Qg-栅极电荷: 8.3 nC, 34 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.4 W, 3.4 W

商标名: StrongIRFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon / IR

配置: Dual

下降时间: 5.9 ns, 14 ns

正向跨导 - 最小值: 17 S, 106 S

高度: 1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns, 35 ns

工厂包装数量: 4000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 12 ns, 28 ns

典型接通延迟时间: 12 ns, 22 ns

宽度: 5 mm

零件号别名: IRFH7911TRPBF SP001577920

单位重量: 137.450 mg

集电极-发射极饱和压降典型值降到1.65V[2]，同时二极管正向压降典型值降到1.75V[3]，导通损耗和关断损耗都有不同幅度的降低，这些性能进一步降低GT30N135SRA的总损耗。

GT30N135SRA遵循东芝现有产品的理念,通过降低导通损耗来减少设备功耗，具有抑制短路电流功能。

与现有产品相同，本产品可通过抑制饱和电流来抑制短路电流，从而对家用电器启动时所产生的谐振电容器短路电流起到阻碍作用。

另外，本产品短路电流峰值降低了40%左右，并能够将非重复性集电极峰值电流抑制在260A或更低。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）