由于续流 SiC 肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中，在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。

与标准的硅二极管解决方案相比，新产品可降低多达 60% 的 Eon和30%的Eoff。或者，也可在输出功率保持不变情况下，提高开关频率至少40%。

较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸，进而降低物料清单成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 77.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 290 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 481 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 7 ns

高度: 21.1 mm

长度: 16.13 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

系列: CoolMOS C6

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 130 ns

典型接通延迟时间: 23 ns

宽度: 5.21 mm

零件号别名: IPW6R41C6XK SP000718886 IPW60R041C6FKSA1

单位重量: 6 g

它们的主要性能如下:

低导通电阻(Ron),最大为1.0到1.35欧姆,

宽的工作电压1.65V-5.5V,

总失真(THD)低,为0.002%,

Ron平坦度,典型为0.2欧姆.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）