800VH系列可控硅，其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C，因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50％，开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。

新的800V H系列可控硅适用于工业制造设备、个人护理产品、智能家居产品和智能建筑系统，利用意法半导体最新的Snubberless™高温技术实现了出色的耐用性。

低导通电压(VTM)确保开关具有较高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自发热量，具有很低的漏电流，并能够长时间保持低漏电流，从而降低了待机电能损耗。

制造商:Nexperia 产品种类:肖特基二极管与整流器 RoHS: 详细信息 产品:Schottky Rectifiers 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123F-2 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:1 A Vrrm - 重复反向电压:40 V Vf - 正向电压:570 mV Ifsm - 正向浪涌电流:9 A Ir - 反向电流 :50 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Nexperia 高度:1.2 mm 长度:3.6 mm Pd-功率耗散:830 mW 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量:3000 子类别:Diodes & Rectifiers 类型:Schottky Diode 宽度:1.7 mm 零件号别名:934061055115 单位重量:10 mg

两款650V半桥评估板（30 A和60 A），用于评估氮化镓（GaN）驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。该公司声称，这些子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编程源电流，带有过流保护功能，以实现可调节的导通压摆率。

子板具有两种功率级别：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。

该器件同时提供反相(INB)和同相(IN)输入,可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）