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使用Pch MOSFET可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动

发布时间:2021/9/23 21:19:29 访问次数:111

MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高效率的Nch应用更为普遍,但在高边使用Nch MOSFET时,需要栅极电压高于输入电压,因此就存在电路结构变得更复杂的问题。

而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因此可简化电路结构,同时还有助于减轻设计负担。

在这种背景下,ROHM采用第五代微米工艺,成功开发出可支持24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

制造商: Renesas Electronics

产品种类: 模拟开关 IC

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MSOP-10

通道数量: 2 Channel

配置: 2 x SPDT

导通电阻—最大值: 500 mOhms

电源电压-最小: 1.65 V

电源电压-最大: 3.6 V

运行时间—最大值: 50 ns

空闲时间—最大值: 27 ns

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: ISL84684

封装: Tube

商标: Renesas / Intersil

高度: 0.85 mm

长度: 3 mm

湿度敏感性: Yes

产品类型: Analog Switch ICs

工厂包装数量: 980

子类别: Switch ICs

电源电流—最大值: 40 nA

电源类型: Single Supply

开关直流: 300 mA

宽度: 3 mm

单位重量: 26 mg

通过优化元件结构并采用有利于改善电场集中问题的新设计,进一步提高了产品品质,并使普遍认为相互矛盾产品可靠性和低导通电阻两者同时得到兼顾,从而有助于追求高品质的工业设备长期稳定运行。

本系列产品已于2020年8月份开始暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格 200日元/个,不含税),产品可通过AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC网售平台购买。

前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高效率的Nch应用更为普遍,但在高边使用Nch MOSFET时,需要栅极电压高于输入电压,因此就存在电路结构变得更复杂的问题。

而使用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因此可简化电路结构,同时还有助于减轻设计负担。

在这种背景下,ROHM采用第五代微米工艺,成功开发出可支持24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

制造商: Renesas Electronics

产品种类: 模拟开关 IC

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MSOP-10

通道数量: 2 Channel

配置: 2 x SPDT

导通电阻—最大值: 500 mOhms

电源电压-最小: 1.65 V

电源电压-最大: 3.6 V

运行时间—最大值: 50 ns

空闲时间—最大值: 27 ns

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: ISL84684

封装: Tube

商标: Renesas / Intersil

高度: 0.85 mm

长度: 3 mm

湿度敏感性: Yes

产品类型: Analog Switch ICs

工厂包装数量: 980

子类别: Switch ICs

电源电流—最大值: 40 nA

电源类型: Single Supply

开关直流: 300 mA

宽度: 3 mm

单位重量: 26 mg

通过优化元件结构并采用有利于改善电场集中问题的新设计,进一步提高了产品品质,并使普遍认为相互矛盾产品可靠性和低导通电阻两者同时得到兼顾,从而有助于追求高品质的工业设备长期稳定运行。

本系列产品已于2020年8月份开始暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格 200日元/个,不含税),产品可通过AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC网售平台购买。

前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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