新产品防止半导体器件受操作过压及接近直流频率的过压影响
发布时间:2021/8/19 13:25:24 访问次数:426
这些新产品不仅能防止半导体器件受操作过压以及接近直流频率的过压影响,还可使半导体器件不受宽度达数百纳秒的静电放电(ESD)[2]和微秒级脉冲宽度的感应雷电过压[1]的影响。
此外,凭借低动态电阻和低钳位电压等特性,这类产品还可通过吸收浪涌降低半导体器件上的外施电压,从而提高设备可靠性。
制造商:KEMET产品种类:铝质电解电容器-螺旋式接线端RoHS: 产品:Low ESR Electrolytic Capacitors电容:6800 uF电压额定值 DC:250 VDC容差:20 %ESR:20 mOhms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C直径:76.6 mm长度:106 mm引线间隔:32 mm寿命:19000 Hour纹波电流:14.7 A系列:封装:Bulk高度:-端接类型:Screw类型:Long Life Aluminum Electrolytic Capacitor宽度:-商标:KEMET漏泄电流:9100 uA产品类型:Electrolytic Capacitors12子类别:Capacitors测试频率:100 Hz零件号别名:A351SM682M250A单位重量:585 g
LiDAR(光检测和测距)系统发射激光脉冲并评估从不同物体反射的光。
ibeoNEXT可以并行处理许多激光脉冲,从而生成一个环境3D模型,该模型可以识别碰撞障碍和道路标记以及汽车,骑自行车的人和行人及其各自的位置和运动方向。
相机产生需要通过软件在空间上解释的二维图像,而LiDAR系统提供3D图像。
Qualcomm Technologies与Facebook团队展开了密切合作,我们针对Oculus Quest 2对骁龙XR2特性组合进行了增强和定制化,该产品的推出是VR领域的里程碑式成果。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
这些新产品不仅能防止半导体器件受操作过压以及接近直流频率的过压影响,还可使半导体器件不受宽度达数百纳秒的静电放电(ESD)[2]和微秒级脉冲宽度的感应雷电过压[1]的影响。
此外,凭借低动态电阻和低钳位电压等特性,这类产品还可通过吸收浪涌降低半导体器件上的外施电压,从而提高设备可靠性。
制造商:KEMET产品种类:铝质电解电容器-螺旋式接线端RoHS: 产品:Low ESR Electrolytic Capacitors电容:6800 uF电压额定值 DC:250 VDC容差:20 %ESR:20 mOhms最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C直径:76.6 mm长度:106 mm引线间隔:32 mm寿命:19000 Hour纹波电流:14.7 A系列:封装:Bulk高度:-端接类型:Screw类型:Long Life Aluminum Electrolytic Capacitor宽度:-商标:KEMET漏泄电流:9100 uA产品类型:Electrolytic Capacitors12子类别:Capacitors测试频率:100 Hz零件号别名:A351SM682M250A单位重量:585 g
LiDAR(光检测和测距)系统发射激光脉冲并评估从不同物体反射的光。
ibeoNEXT可以并行处理许多激光脉冲,从而生成一个环境3D模型,该模型可以识别碰撞障碍和道路标记以及汽车,骑自行车的人和行人及其各自的位置和运动方向。
相机产生需要通过软件在空间上解释的二维图像,而LiDAR系统提供3D图像。
Qualcomm Technologies与Facebook团队展开了密切合作,我们针对Oculus Quest 2对骁龙XR2特性组合进行了增强和定制化,该产品的推出是VR领域的里程碑式成果。
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