漏源导通电阻x栅极开关电荷的值适应任何传感器或接口
发布时间:2021/7/13 22:17:45 访问次数:238
10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM采用双列直插式封装TO-220.
这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷的值（开关应用的品质因数）。
TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM采用贴片式封装DPAK。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ATPAK-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 73 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
配置: Single
系列: ATP301
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 190 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 330 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 4 g
与基于 GPU 的 SOM 相比，凭借 1.4 TOPS 的 AI 算力，Kria K26 SOM 使开发者可以创建能以更低时延和功耗提供3倍以上性能的视觉AI 应用。
交钥匙应用免除了所有FPGA硬件设计工作，只需软件开发者集成其定制 AI 模型、应用代码，并使用熟悉的设计环境，如 TensorFlow、Pytorch 或 Caffe 框架，以及 C、C++、OpenCL™ 和 Python 编程语言，通过 Vitis™ 统一软件开发平台和库对视觉处理流进行选择性修改。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM采用双列直插式封装TO-220.
这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷的值（开关应用的品质因数）。
TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM采用贴片式封装DPAK。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ATPAK-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 28 A
Rds On-漏源导通电阻: 75 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 73 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
配置: Single
系列: ATP301
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: ON Semiconductor
下降时间: 190 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 330 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 4 g
与基于 GPU 的 SOM 相比，凭借 1.4 TOPS 的 AI 算力，Kria K26 SOM 使开发者可以创建能以更低时延和功耗提供3倍以上性能的视觉AI 应用。
交钥匙应用免除了所有FPGA硬件设计工作，只需软件开发者集成其定制 AI 模型、应用代码，并使用熟悉的设计环境，如 TensorFlow、Pytorch 或 Caffe 框架，以及 C、C++、OpenCL™ 和 Python 编程语言，通过 Vitis™ 统一软件开发平台和库对视觉处理流进行选择性修改。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
